[發明專利]電子發射裝置及其驅動方法

有效

• 申請號: 201110367517.0
• 申請日: 2011-11-18
• 公開（公告）號: CN102479483A
• 公開（公告）日: 2012-05-30
• 發明（設計）人: 平川弘幸
• 申請（專利權）人: 夏普株式會社
• 主分類號: G09G3/22
• 分類號: G09G3/22
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司 11219
• 代理人: 戚傳江;穆德駿

1.一種對包括第一電極、在第一電極上形成并且包括絕緣微粒的微粒層、以及在所述微粒層上形成的第二電極的電子發射裝置的驅動方法，包括：

將電壓施加于所述第一和第二電極之間，以從所述第一電極發射電子，以便所述電子通過所述微粒層被加速并且從所述第二電極被發射，

其中，所述施加的電壓包括具有第一頻率的脈沖，并且所述脈沖以低于所述第一頻率的第二頻率被振蕩。

2.根據權利要求1所述的驅動方法，其中，所述第一頻率為100Hz至10kHz，并且所述第二頻率為0.008Hz至2Hz，所述脈沖的每個由矩形波構成。

3.根據權利要求1所述的驅動方法，其中，進一步包括：

測量在所述第一電極和所述第二電極之間的電流，以及

基于測量的電流調制所述脈沖，以使得所述電子發射裝置的電子發射量恒定。

4.根據權利要求3所述的驅動方法，其中，通過脈沖密度調制或脈沖寬度調制，執行調制所述脈沖的所述步驟。

5.一種電子發射裝置包括：

第一電極，

在所述第一電極上形成的并且包括絕緣微粒的微粒層，

在所述微粒層上形成的第二電極，以及

驅動部，所述驅動部用于將電壓施加于所述第一和所述第二電極之間，以從所述第一電極發射電子，以便所述電子通過所述微粒層被加速，并且從所述第二電極被發射，

其中，所述施加的電壓包括具有第一頻率并且以低于所述第一頻率的第二頻率被振蕩的脈沖。

6.根據權利要求5所述的電子發射裝置，其中，所述第一頻率為100Hz至10kHz，所述第二頻率為0.008Hz至2Hz，并且所述脈沖由矩形波構成。

7.根據權利要求5所述的電子發射裝置，其中，驅動部包括測量在所述第一和第二電極之間電流的電流測量部，以及基于所述測量電流調制所述脈沖以使得所述電子發生裝置的電子發射量恒定的脈沖調制部。

8.根據權利要求7所述的電子發射裝置，其中，所述脈沖調制部通過脈沖密度調制或脈沖寬度調制，調制所述脈沖。

9.根據權利要求5所述的電子發射裝置，進一步包括在所述第一電極上形成并且具有開口的絕緣層，其中，所述第二電極的一部分形成在所述絕緣層的上方，并且被設置成通過所述開口面對所述第一電極，并且其他部分與所述絕緣層重疊，而且，所述微粒層被設置在所述第一和第二電極之間，以及在所述第二電極和所述絕緣層之間，并且包括絕緣微粒和導電微粒。

10.根據權利要求9所述的電子發射裝置，其中，形成所述絕緣層，以便與所述第一電極接觸。

11.根據權利要求9所述的電子發射裝置，其中，所述絕緣層由硅樹脂制成。

12.根據權利要求9所述的電子發射裝置，其中，所述第二電極的表面具有凹陷部分。

13.根據權利要求9所述的電子發射裝置，其中，所述第二電極包括鄰近所述微粒層的第一電極層，以及在所述第一電極層上形成并且具有比所述第一電極層電阻值更高的電阻值的第二電極層，所述第二電極層的表面具有凹陷部分。

14.根據權利要求13所述的電子發射裝置，其中，所述第二電極層通過將凹陷部分穿過所述第一電極層而被電連接至所述微粒層。

15.根據權利要求13所述的電子發射裝置，其中，所述第一電極層包括無定形碳層。

16.根據權利要求13所述的電子發射裝置，其中，所述第二電極層包括金屬層。

17.根據權利要求16所述的電子發射裝置，其中，所述第二電極層包含包括金、銀、鎢、鈦、鋁和鈀中的至少之一的材料。

18.根據權利要求9所述的電子發射裝置，其中，所述微粒層包含包括絕緣微粒的絕緣微粒層。

19.根據權利要求9所述的電子發射裝置，其中，構成所述微粒層的所述絕緣微粒和導電微粒由硅樹脂固定。