[發明專利]一種多量子阱TFT-LED陣列顯示基板及其制造方法

有效

• 申請號: 201110367504.3
• 申請日: 2011-11-18
• 公開（公告）號: CN102427080A
• 公開（公告）日: 2012-04-25
• 發明（設計）人: 鄧朝勇;楊利忠;雷遠清;楊小平;胡紹璐
• 申請（專利權）人: 貴州大學
• 主分類號: H01L27/15
• 分類號: H01L27/15;H01L21/77
• 代理公司: 貴陽中新專利商標事務所 52100
• 代理人: 李亮;程新敏

1.一種多量子阱TFT-LED陣列顯示基板，其特征在于：在襯底（1）上方依次為緩沖層（2）,n型GaN層（3），三基色多量子阱發光層（4），三基色多量子阱發光層（4）構成白光發光區（9）；在三基色多量子阱發光層（4）上依次為p型GaN層（5）和透明電極層（6）；n型GaN層（3）、三基色多量子阱發光層（4）、p型GaN層（5）和透明電極層（6）共同組成顯示單元，在顯示單元上設有控制區（7），在顯示單元之間設有引線區（8）；在控制區（7）內設有由電容器下極板（10）和電容器上極板（12），以及同處于它們之間的絕緣層（25）所構成的電容器；由工作TFT柵極（13）、工作TFT溝道（17）、工作TFT源極（22）、工作TFT漏極（23）以及絕緣層（25）組成的工作TFT；以及由控制TFT柵極（15）、控制TFT溝道（18）、控制TFT源極（19）和控制TFT漏極（21）以及中間絕緣層（25）組成的控制TFT；在引線區內設有n型GaN層接地引線（11），工作TFT源極引線（24），控制TFT源極引線（20）及控制TFT柵極引線（16）；其中電容器下極板（10）與n型GaN層（3）接觸，n型GaN層接地引線（11）與電容器下極板（10）連接；電容器上極板（12）分別與工作TFT柵極（13）及控制TFT漏極（21）連接，工作TFT漏極（23）與透明電極層（6）連接，工作TFT源極（22）與工作TFT源極引線（24）連接，控制TFT源極（19）與控制TFT源極引線（20）連接，控制TFT柵極（15）與控制TFT柵極引線（16）連接；絕緣層（25）處于各層金屬電極和不同層引線之間，在控制區（7）及引線區（8）上有鈍化保護層（26），在透明電極層（6）設有彩膜基板。

2.根據權利要求1所述的多量子阱TFT-LED陣列顯示基板，其特征在于：襯底（1）材料為藍寶石單晶襯底或SiC單晶襯底。

3.根據權利要求1所述的多量子阱TFT-LED陣列顯示基板，其特征在于：n型半導體層（3）和p型半導體層（5）是由不同摻雜濃度的p型或n型GaN外延薄膜組成，其中n型半導體層摻入Si，p型半導體層可摻入Mg或Zn。

4.根據權利要求1所述的多量子阱TFT-LED陣列顯示基板，其特征在于：三基色多量子阱發光層（4）是由紅、綠、藍三種多量子阱構成。

5.根據權利要求1所述的多量子阱TFT-LED陣列顯示基板，其特征在于：透明電極層（6）為原位生長的ITO或IZO；電容器下極板（10）、上極板（12），工作TFT柵極（13）、工作TFT漏極（23）、工作TFT源極（22），控制TFT柵極（15）、控制TFT漏極（21）、控制TFT源極（19）以及各種引線的材料為Mo、Au、Cu、Ag、Ni或Al中的一種或一種以上組成的合金，或者它們的搭配或組合；絕緣層（25）和鈍化保護層（26）采用SiO_x、SiN_x或SiO_xN_y絕緣材料制作。

6.根據權利要求1所述的多量子阱TFT-LED陣列顯示基板，其特征在于：工作TFT溝道（17）和控制TFT溝道（18）采用非晶硅、多晶硅或者單晶硅。

7.根據權利要求1所述的TFT-LED彩膜陣列顯示基板，其特征在于：彩膜基板包括紅色樹脂、綠色樹脂和藍色樹脂組成的顏色單元，彩膜基板位于透明電極層（6）上方。