[發明專利]倒裝芯片型半導體背面用薄膜、切割帶一體型半導體背面用薄膜、倒裝芯片型半導體背面用薄膜的制造方法以及半導體裝置有效
| 申請號： | 201110367402.1 | 申請日： | 2011-11-18 |
| 公開（公告）號： | CN102559085A | 公開（公告）日： | 2012-07-11 |
| 發明（設計）人： | 宇圓田大介;松村健;井上剛一;盛田美希 | 申請（專利權）人： | 日東電工株式會社 |
| 主分類號： | C09J7/02 | 分類號： | C09J7/02;H01L23/552;H01L23/29;H01L21/56 |
| 代理公司： | 中原信達知識產權代理有限責任公司 11219 | 代理人： | 王海川;穆德駿 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 倒裝 芯片 半導體 背面 薄膜 切割 體型 制造 方法 以及 裝置 | ||
【權利要求書】：
1.一種倒裝芯片型半導體背面用薄膜，用于在倒裝芯片式連接到被粘物上的半導體元件的背面上形成，其特征在于，具有膠粘劑層和電磁波屏蔽層。
2.一種切割帶一體型半導體背面用薄膜，其中，在切割帶上層疊有權利要求1所述的倒裝芯片型半導體背面用薄膜，其特征在于，
所述切割帶具有在基材上層疊有粘合劑層的結構，
所述倒裝芯片型半導體背面用薄膜層疊在所述切割帶的粘合劑層上。
3.一種倒裝芯片型半導體背面用薄膜的制造方法，用于制造權利要求1所述的倒裝芯片型半導體背面用薄膜，其特征在于，包括以下步驟：
形成膠粘劑層的步驟，和
在所述膠粘劑層上形成電磁波屏蔽層的步驟。
4.一種半導體裝置，其具有權利要求1所述的倒裝芯片型半導體背面用薄膜。
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