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[發明專利]一種復合形態的納米氧化鋅材料及其制備方法無效

專利信息
申請號: 201110367370.5 申請日: 2011-11-18
公開(公告)號: CN102491405A 公開(公告)日: 2012-06-13
發明(設計)人: 李春忠;王玉輝;顧鋒;邵瑋 申請(專利權)人: 華東理工大學
主分類號: C01G9/02 分類號: C01G9/02;B82Y40/00
代理公司: 上海新天專利代理有限公司 31213 代理人: 胡紅芳
地址: 200237 *** 國省代碼: 上海;31
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摘要:
搜索關鍵詞: 一種 復合 形態 納米 氧化鋅 材料 及其 制備 方法
【說明書】:

技術領域

發明涉及一種復合形態的納米氧化鋅材料及其制備方法,具體地,涉及一種ZnO納米棒陣列頂端生成ZnO納米針結構的材料及其制備方法。

背景技術

ZnO是一種非常重要的寬禁帶半導體化合物(3.37eV),其在藍綠發光二極管、激光器、壓電材料、化學傳感器、光催化及光電轉換領域都具有非常重要的應用價值。一維ZnO納米陣列結構因其具有獨特的物理性能、化學性能(如極低的熱膨脹系數、高的熱穩定性、極大的激子束縛能、負的電子親合能等)及其一維結構的低空間維度特性和單晶體特征,使其在許多領域如紫外發光二極管、半導體激光發射器、壓電轉換器、傳感器、光催化、光電轉換等都有非常廣闊的應用前景。雖然ZnO的功函數高達5.4?eV,其基體材料本身并不是一種好的場發射材料,但是一維ZnO納米結構具有巨大的場增強因子,使一維ZnO納米結構也可以具有優良的場發射特性。

為了促進納米氧化鋅在場發射領域的應用,人們利用各種物理、化學方法(如物理氣相沉積、化學氣相沉積、火焰噴射高溫分解法、分子束外延法、化學氣相傳輸法及水熱法等)制備出了多種ZnO納米結構(如納米線、納米帶、納米花、納米梳及納米釘等),這些結構表現出了較好的場發射性能。如Wan?Q等人(Wan?Q,Yu?K,Wang?T?H?and?Lin?C?L.Low-field?electron?emission?from?tetrapod-like?ZnO?nanostructures?synthesized?by?rapid?evaporation[J].Appl.?Phys.?Lett.?2003,83:2253-2256)利用熱蒸發法法制備得到四角狀和線狀ZnO納米結構;Murray?J?等人(Murray?J.?Height,?Lutz?Madler,and?Sotiris?E.?Pratsinis.?Nanorods?of??ZnO?made?by?flame?spray?pyrolysis?[J].?Chem.?Mater.?2006,18:572-578)利用火焰噴射高溫分解法制備得到ZnO納米棒;Jiang?H等人(Jiang?H,Hu?J?Q,Gu?F?and?Li?C?Z.?Stable?field?emission?performance?from?urchin-like?ZnO?nanostructures?[J].?Nanotechnology.?2009,?20:?055706)利用水熱法制備出海膽狀的ZnO納米結構等。但是上述制備的傳統的ZnO納米結構的場增強因子(β)較低,不利于場發射性能的進一步提高。

發明內容

鑒于上述問題,本發明提供一種一種復合形態的納米氧化鋅材料及其制備方法,即在ZnO納米棒頂端生成ZnO納米針的制備方法,為一步合成法。具體方案如下:

一種復合形態的納米氧化鋅材料,所述復合形態的納米氧化鋅材料由ZnO納米棒與ZnO納米針二種形態組成,底部為所述ZnO納米棒,頂端為所述ZnO納米針,所述ZnO納米棒與所述ZnO納米針具有相同的晶面取向且晶界連續;

所述ZnO納米棒的直徑為200~300nm,長徑比為30~40;

所述ZnO納米針的直徑為20~40nm,長徑比為2~110。

上述復合形態的納米氧化鋅材料的制備方法,包括如下步驟:

(1)將表面活性劑、六水硝酸鋅、六亞甲基四胺(HMT)和去離子水均勻混合,形成透明溶液;

(2)將涂有ZnO籽晶的襯底倒置懸浮于上述透明溶液中,在密閉環境中于90~110℃下反應1~50h,得到所述復合形態的納米氧化鋅材料;

在上述過程中,反應前期形成ZnO納米棒陣列結構,反應后期在納米棒頂端形成納米針結構,即ZnO納米棒陣列頂端生成ZnO納米針結構的復合形態的納米氧化鋅材料;

后處理:將步驟(2)得到的產物用去離子水和有機溶劑如無水乙醇等進行清洗、干燥、煅燒,去除雜質。

所述表面活性劑與六水硝酸鋅的摩爾比為1:5~1:500;

六水硝酸鋅與六亞甲基四胺的摩爾比為1~2:1~2。?

所述表面活性劑是聚醚型結構的F127。

所述透明溶液中六水硝酸鋅和六亞甲基四胺的總摩爾濃度為0.001~0.05mol/L。

所述襯底為FTO、ITO或Si片;所述ZnO籽晶的涂敷厚度為100~500nm。

所述煅燒是將干燥后的產物放入馬弗爐中,控制升溫速度0.5~2℃/min至450℃下保溫60~120min。

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