[發明專利]一種碳化硅的歐姆電極結構及其制備方法

無效

• 申請號: 201110366469.3
• 申請日: 2011-11-17
• 公開（公告）號: CN103117298A
• 公開（公告）日: 2013-05-22
• 發明（設計）人: 陳小龍;郭麗偉;劉春俊
• 申請（專利權）人: 中國科學院物理研究所
• 主分類號: H01L29/45
• 分類號: H01L29/45;H01L21/28
• 代理公司: 北京泛華偉業知識產權代理有限公司 11280
• 代理人: 王勇

1.一種碳化硅的歐姆電極結構，包括碳化硅基底和金屬層，以及位于所述碳化硅基底和金屬層之間的石墨烯層。

2.如權利要求1所述的歐姆電極結構，其中所述碳化硅基底是碳化硅體單晶或碳化硅外延層。

3.如權利要求2所述的歐姆電極結構，其中所述碳化硅單晶的晶型為4H-SiC、6H-SiC、3C-SiC或15R-SiC。

4.如權利要求1所述的歐姆電極結構，其中所述碳化硅基底的導電類型包括n型、p型或半絕緣。

5.如權利要求1所述的歐姆電極結構，其中所述碳化硅基底的電阻率在10^-2到10⁶Ω·cm。

6.如權利要求1所述的歐姆電極結構，其中所述石墨烯層為單層或多層。

7.如權利要求1所述的歐姆電極結構，其中所述金屬層為由一種金屬構成的單一金屬層，或由兩種或兩種以上金屬構成的復合金屬層。

8.如權利要求7所述的歐姆電極結構，其中所述金屬為Ti、Ni、Al、Au、Pt、Ta、W或Cr。

9.如權利要求7所述的歐姆電極結構，其中，所述復合金屬層為雙層金屬層。

10.一種碳化硅歐姆電極結構的制備方法，包括以下步驟：

1)選取碳化硅單晶基底或形成碳化硅外延層；

2)在所述碳化硅單晶基底或碳化硅外延層上形成石墨烯層；以及

3)在所述石墨烯層上形成金屬層。

11.如權利要求10所述的制備方法，其中所述步驟2)中通過直接熱分解碳化硅單晶基底或碳化硅外延層形成石墨烯層。

12.如權利要求10所述的制備方法，其中所述步驟2)中通過將已制備好的石墨烯直接轉移到碳化硅單晶基底或碳化硅外延層上形成石墨烯層。

13.如權利要求10所述的制備方法，其中所述石墨烯層為單層或多層。

14.如權利要求10所述的制備方法，其中所述金屬層為由一種金屬構成的單一金屬層，厚度為50nm到300nm。

15.如權利要求10所述的制備方法，其中金屬層為由兩種金屬構成的復合金屬層，第一層厚度為10nm-50nm，第二層厚度為40nm到300nm。