[發(fā)明專利]一種松樹狀納米陣列場發(fā)射陰極制備方法

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110366419.5
• 申請(qǐng)日: 2011-11-17
• 公開（公告）號(hào): CN103117199A
• 公開（公告）日: 2013-05-22
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉永剛;孔令民;王世來;黃文君;姚建明
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 浙江海洋學(xué)院
• 主分類號(hào): H01J9/02
• 分類號(hào): H01J9/02;H01J1/304;B81C1/00;C23C14/24;C23C14/08
• 代理公司: 寧波誠源專利事務(wù)所有限公司 33102
• 代理人: 袁忠衛(wèi);毛大林

1.一種松樹狀納米陣列場發(fā)射陰極制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

步驟①：在抽真空的封閉環(huán)境下，加熱蒸發(fā)鉬粉；

步驟②：冷卻并在一懸置在鉬粉上方的硅片襯底表面沉積形成二氧化鉬納米陣列。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的松樹狀納米陣列場發(fā)射陰極制備方法，其特征在于：在步驟①中，鉬粉被放置于一鎢舟內(nèi)，通過對(duì)鎢舟通電加熱蒸發(fā)鉬粉；

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的松樹狀納米陣列場發(fā)射陰極制備方法，其特征在于：在步驟①中，對(duì)鎢舟通電加熱鉬粉至1000至1400℃。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2或3所述的松樹狀納米陣列場發(fā)射陰極制備方法，其特征在于：抽真空的封閉環(huán)境的壓強(qiáng)在8×10^-4Pa至1×10^-3Pa。

5.根據(jù)權(quán)利要求1或2或3或4所述的松樹狀納米陣列場發(fā)射陰極制備方法，其特征在于：硅片懸置于鉬粉上方距離鉬粉3至10mm處。

6.根據(jù)權(quán)利要求1或2或3或4或5所述的松樹狀納米陣列場發(fā)射陰極制備方法，其特征在于：硅片懸置于鉬粉3上方距離鉬粉5mm處。

7.根據(jù)權(quán)利要求1或2或3或4或5或6所述的松樹狀納米陣列場發(fā)射陰極制備方法，其特征在于：在步驟②中，在常溫下冷卻時(shí)間在三小時(shí)以上。