[發明專利]具有高電壓結終端的高電壓電阻器

有效

• 申請號: 201110366213.2
• 申請日: 2011-11-17
• 公開（公告）號: CN102915997A
• 公開（公告）日: 2013-02-06
• 發明（設計）人: 蘇如意;楊富智;蔡俊琳;鄭志昌;柳瑞興
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L23/522
• 分類號: H01L23/522;H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336;H01L21/768
• 代理公司: 北京德恒律師事務所 11306
• 代理人: 陸鑫;房嶺梅

1.一種半導體器件，包括：

襯底，所述襯底包含第一摻雜區和第二摻雜區，第一區和第二區是相反摻雜的，并且是鄰近設置的；

第一隔離結構和第二隔離結構，每一個都被設置在所述襯底的上方，所述第一隔離結構和所述第二隔離結構彼此間隔開，并且每一個都被設置成至少部分地位于所述第一摻雜區的上方；

電阻器，被設置在所述第一隔離結構的至少一部分的上方；以及

場板，被設置在所述第一摻雜區和所述第二摻雜區之一的至少一部分的上方。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，其中：

所述電阻器和所述場板每一個都包含多晶硅材料和金屬材料中之一；以及

所述第一隔離結構和所述第二隔離結構每一個都包括場效氧化物器件和溝槽隔離器件之一。

3.根據權利要求1所述的半導體器件，其中：

所述電阻器具有伸長的形狀，并具有長度L；

所述電阻器的片段被電連接至所述第一摻雜區；以及

所述片段與所述電阻器的遠端相距一段距離，所述距離處于約0.4*L至約0.6*L的范圍內。

4.一種半導體器件，包括：

襯底，包括在其中設置的摻雜阱，所述摻雜阱和所述襯底具有相反的摻雜極性；

絕緣器件，被設置在所述摻雜阱的上方；

伸長的電阻器，被設置在所述絕緣器件的上方，所述電阻器的非遠端部分連接至所述摻雜阱；以及

高電壓結終端(HVJT)器件，鄰近所述電阻器設置。

5.根據權利要求4所述的半導體器件，其中，所述HVJT器件包括：

一部分所述襯底；

第一摻雜區和第二摻雜區，被設置在所述一部分所述襯底的上方，所述第一摻雜區和所述第二摻雜區具有相反的摻雜極性；

另一絕緣器件，被設置在部分所述第一摻雜區的上方；以及

導電元件，被設置在所述第一摻雜區和所述第二摻雜區之一的至少一部分的上方。

6.根據權利要求5所述的半導體器件，其中所述導電元件是晶體管柵極元件，所述晶體管柵極元件被設置在P/N結的上方，所述P/N結由所述第一摻雜區和所述第二摻雜區形成。

7.根據權利要求4所述的半導體器件，其中所述電阻器的所述非遠端部分基本上位于所述電阻器的中點。

8.一種制造高電壓半導體器件的方法，包括：

在襯底中形成第一摻雜區；

在所述襯底中形成第二摻雜區，所述第二摻雜區與所述第一摻雜區是相反摻雜的，其中，所述第一摻雜區和所述第二摻雜區之間的界面形成P/N結；

在所述第一摻雜區上方形成第一隔離結構和第二隔離結構；

在所述第一隔離結構上方形成電阻器器件；以及

形成至少部分地位于所述第二隔離結構上方的場板，所述場板被設置在所述P/N結的上方。

9.根據權利要求8所述的方法，其中：

形成所述電阻器器件是以使得所述電阻器器件具有伸長的形狀并包括相反的第一遠端和第二遠端的方式實施；以及

形成所述場板是以使得所述場板包含多晶硅材料和金屬材料之一的方式實施。

10.根據權利要求9所述的方法，其中：

形成所述電阻器器件是以使得位于所述第一遠端和所述第二遠端之間的所述電阻器器件的片段電連接至所述第一摻雜區的方式實施；以及

形成所述場板是以使得所述場板電接地的方式實施。