[發明專利]PECVD裝置及半導體器件的形成方法

有效

• 申請號: 201110366072.4
• 申請日: 2011-11-17
• 公開（公告）號: CN103117201A
• 公開（公告）日: 2013-05-22
• 發明（設計）人: 周鳴
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32;H01L21/768
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 駱蘇華

1.一種PECVD裝置，其特征在于，包括PECVD設備和等離子體發生器，其中，所述等離子發生器包括氣體入口、等離子體發生腔、射頻電極和氣體出口，所述等離子體發生器的氣體出口與PECVD設備連接。

2.如權利要求1所述的PECVD裝置，其特征在于，與所述PECVD設備連接的等離子體發生器為兩個，所述PECVD設備包含兩個進氣通路，所述等離子體發生器的氣體出口與PECVD設備的進氣通路連接。

3.如權利要求1所述的PECVD裝置，其特征在于，所述PECVD設備包括：沉積室、設置于沉積室底部的加工基座、進氣通路和排氣通路。

4.一種應用權利要求2中PECVD裝置的半導體器件的形成方法，其特征在于，包括：

將第一反應氣體通入第一等離子體發生器、將第二反應氣體通入第二等離子體發生器，分別形成含有等離子體的第一反應氣體和含有等離子體的第二反應氣體；

將形成有MOS器件的襯底置于PECVD設備內，并將所述含有等離子體的第一反應氣體和含有等離子體的第二反應氣體通入PECVD設備內，通過第一反應氣體和第二反應氣體的化學反應，在所述襯底上沉積刻蝕停止層；

將已形成有刻蝕停止層的襯底由PECVD設備內取出。

5.如權利要求4所述的半導體器件的形成方法，其特征在于，通入所述第一等離子體發生器中射頻電極的射頻電源的功率在100至1500W范圍內；通入所述第二等離子體發生器中射頻電極的射頻電源的功率在100至1500W范圍內。

6.如權利要求4所述的半導體器件的形成方法，其特征在于，通入所述第一等離子發生器的第一反應氣體的流量在100至1000sccm范圍內；通入所述第二等離子發生器的第二反應氣體的流量在100至1000sccm范圍內。

7.如權利要求4所述的半導體器件的形成方法，其特征在于，所述刻蝕停止層的材質為氮化硅。

8.如權利要求7所述的半導體器件的形成方法，其特征在于，所述第一反應氣體為載氣體和含硅氣體的混合氣體；所述第二反應氣體為載氣體和含氮氣體的混合氣體。

9.如權利要求8所述的半導體器件的形成方法，其特征在于，所述載氣體為氦氣或氮氣中的一種。

10.如權利要求8所述的半導體器件的形成方法，其特征在于，所述含硅氣體為硅烷、三甲基硅烷或四甲基硅烷中的一種。

11.如權利要求8所述的半導體器件的形成方法，其特征在于，所述含氮氣體為氨氣或聯氨中的一種。

12.如權利要求7所述的半導體器件的形成方法，其特征在于，沉積所述刻蝕停止層時PECVD設備內的溫度在300至400攝氏度范圍內。

13.如權利要求7所述的半導體器件的形成方法，其特征在于，沉積所述刻蝕停止層時PECVD設備內的壓強在1至7Torr范圍內。