[發(fā)明專利]60V高邊LDNMOS結(jié)構(gòu)及其制造方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110366064.X
• 申請日: 2011-11-17
• 公開（公告）號: CN102354686A
• 公開（公告）日: 2012-02-15
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉建華;吳曉麗
• 申請（專利權(quán)）人: 上海先進(jìn)半導(dǎo)體制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/8238
• 分類號: H01L21/8238;H01L27/092;H01L29/78;H01L21/336
• 代理公司: 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 31100
• 代理人: 陳亮

1.一種60V高邊LDNMOS結(jié)構(gòu)(200)的制造方法，包括步驟：

提供P型硅襯底(201)，在其上依次注入形成N型埋層(202)和熱生長P型外延層(203)；

在所述P型外延層(203)中高能注入第一N型雜質(zhì)，并經(jīng)高溫?cái)U(kuò)散形成低濃度的高壓N阱(204)，作為所述高邊LDNMOS結(jié)構(gòu)(200)的高壓阱以及高壓器件的自隔離；

依照標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝在所述P型外延層(203)上進(jìn)行局部氧化工藝，制作器件/電路部分的多個(gè)場氧化隔離(205)；

在所述高邊LDNMOS結(jié)構(gòu)(200)的源區(qū)部分圖形曝光，高能注入P型雜質(zhì)和第二N型雜質(zhì)，并經(jīng)高溫?cái)U(kuò)散形成P型體區(qū)(206)，作為所述高邊LDNMOS結(jié)構(gòu)(200)的溝道；

在所述P型體區(qū)(206)和場氧化隔離(205)之間的所述P型外延層(203)上形成柵氧化層(207)，所述柵氧化層(207)與所述P型體區(qū)(206)相連接并與所述場氧化隔離(205)鄰接；

在所述高邊LDNMOS結(jié)構(gòu)(200)的所述柵氧化層(207)及其相鄰的場氧化隔離(205)上熱生長多晶硅柵并形成多晶柵極(208)，同時(shí)在所述高邊LDNMOS結(jié)構(gòu)(200)的漏區(qū)形成多晶柵極場板；

依照標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝，以所述多晶柵極(208)為對準(zhǔn)層，在所述高邊LDNMOS結(jié)構(gòu)(200)的源區(qū)以及漏區(qū)依次圖形曝光，分別形成源極(211)、漏極(212)和P型體區(qū)引出端(213)，所述源極(211)和P型體區(qū)引出端(213)位于所述P型體區(qū)(206)中。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于，形成所述源極(211)、漏極(212)和P型體區(qū)引出端(213)之后還包括步驟：

對所述高邊LDNMOS結(jié)構(gòu)(200)進(jìn)行快速熱處理過程。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述第一N型雜質(zhì)為磷，所述第二N型雜質(zhì)為砷。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的制造方法，其特征在于，所述P型雜質(zhì)為硼。

5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的制造方法，其特征在于，所述柵氧化層(207)的厚度為

6.一種60V高邊LDNMOS結(jié)構(gòu)(200)，包括：

N型埋層(202)，位于P型硅襯底(201)中，所述P型硅襯底(201)上形成有P型外延層(203)；

低濃度的高壓N阱(204)，位于所述N型埋層(202)之上、所述P型外延層(203)之中，作為所述高邊LDNMOS結(jié)構(gòu)(200)的高壓阱以及高壓器件的自隔離；

多個(gè)場氧化隔離(205)，分布于所述P型外延層(203)的表面；

P型體區(qū)(206)，位于所述高壓N阱(204)中，作為所述高邊LDNMOS結(jié)構(gòu)(200)的溝道；

柵氧化層(207)，位于所述P型體區(qū)(206)和場氧化隔離(205)之間的所述P型外延層(203)上，其與所述P型體區(qū)(206)相連接并與所述場氧化隔離(205)鄰接；

多晶柵極(208)，位于所述高邊LDNMOS結(jié)構(gòu)(200)的所述柵氧化層(207)及其相鄰的場氧化隔離(205)上；

源極(211)、漏極(212)和P型體區(qū)引出端(213)，分布在所述P型外延層(203)的表面，所述源極(211)和P型體區(qū)引出端(213)位于所述P型體區(qū)(206)中。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的60V高邊LDNMOS結(jié)構(gòu)(200)，其特征在于，所述柵氧化層(207)的厚度為