[發(fā)明專利]生產(chǎn)碲化鎘或碲鋅鎘單晶體的方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110365464.9
• 申請(qǐng)日: 2011-11-17
• 公開（公告）號(hào): CN103114335A
• 公開（公告）日: 2013-05-22
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 吳召平;高緒彬;徐悟生;江浩川;張明龍
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 通用電氣公司
• 主分類號(hào): C30B29/48
• 分類號(hào): C30B29/48;C30B11/00
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 彭久云

1.一種生產(chǎn)碲化鎘或碲鋅鎘單晶體的方法，其包括：

形成一個(gè)包括晶體生長區(qū)域和原位退火區(qū)域的整體溫度場；

將一個(gè)裝有富碲材料和碲化鎘或碲鋅鎘多晶材料的坩堝從所述晶體生長區(qū)域中通過，在該過程中，坩堝內(nèi)的富碲材料熔化形成熔區(qū)，碲化鎘或碲鋅鎘多晶材料逐漸溶解到所述熔區(qū)中，然后冷卻析出碲化鎘或碲鋅鎘單晶體；以及

將所述坩堝從所述原位退火區(qū)域中通過，在該過程中對(duì)所述晶體生長區(qū)域中生成的碲化鎘或碲鋅鎘單晶體進(jìn)行退火，以降低所述單晶體中的碲夾雜含量。

2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，在所述坩堝通過的方向上，所述晶體生長區(qū)域和原位退火區(qū)域之間的距離為3厘米到20厘米。

3.如權(quán)利要求2所述的方法，其中，在所述坩堝通過的方向上，所述晶體生長區(qū)域和原位退火區(qū)域之間的距離為5厘米到10厘米。

4.如權(quán)利要求1所述的方法，進(jìn)一步包括通過驅(qū)動(dòng)裝置驅(qū)動(dòng)所述坩堝，使其在從所述晶體生長區(qū)域和原位退火區(qū)域通過的同時(shí)還沿其軸線旋轉(zhuǎn)。

5.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述坩堝連接于一個(gè)驅(qū)動(dòng)裝置，通過所述驅(qū)動(dòng)裝置移動(dòng)坩堝來實(shí)現(xiàn)將坩堝從所述整體溫度場中通過。

6.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述整體溫度場連接于一個(gè)驅(qū)動(dòng)裝置，通過所述驅(qū)動(dòng)裝置移動(dòng)整體溫度場來實(shí)現(xiàn)將坩堝從所述整體溫度場中通過。

7.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述富碲材料和碲化鎘或碲鋅鎘多晶材料包括碲化鎘或碲鋅鎘籽晶、富碲材料和碲化鎘或碲鋅鎘多晶材料。

8.如權(quán)利要求1所述的方法，在所述坩堝通過的方向上，所述晶體生長區(qū)域的溫度逐漸上升到第一溫度峰值后逐漸下降，所述原位退火區(qū)域的溫度逐漸上升到第二溫度峰值后逐漸下降，其中所述第一溫度峰值高于碲的熔點(diǎn)低于碲化鎘或碲鋅鎘的熔點(diǎn)，所述第二溫度峰值高于所述第一溫度峰值低于碲化鎘或碲鋅鎘的熔點(diǎn)。

9.如權(quán)利要求8所述的方法，其中所述晶體生長區(qū)域的溫度是以10℃/厘米到100℃/厘米的速度逐漸上升或下降的。

10.如權(quán)利要求9所述的方法，其中所述晶體生長區(qū)域的溫度是以20℃/厘米到60℃/厘米的速度逐漸上升或下降的。

11.如權(quán)利要求8所述的方法，其中所述原位退火區(qū)域的溫度是以5℃/厘米到100℃/厘米的速度逐漸上升或下降的。

12.如權(quán)利要求11所述的方法，其中所述原位退火區(qū)域的溫度是以20℃/厘米到60℃/厘米的速度逐漸上升或下降的。

13.如權(quán)利要求8所述的方法，所述坩堝內(nèi)裝有碲化鎘籽晶、富碲材料和碲化鎘多晶材料，所述第一溫度峰值在600℃到1092℃之間，所述第二溫度峰值在700℃到1092℃之間。

14.如權(quán)利要求13所述的方法，所述第一溫度峰值在600℃到900℃之間，所述第二溫度峰值在850℃到1092℃之間。