[發(fā)明專利]擴(kuò)散劑組合物及雜質(zhì)擴(kuò)散層的形成方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110365158.5
• 申請(qǐng)日: 2011-11-11
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102468439A
• 公開(kāi)（公告）日: 2012-05-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 森田敏郎;神園喬
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 東京應(yīng)化工業(yè)株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L51/00
• 分類號(hào): H01L51/00;H01L31/18;H01L21/225
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021
• 代理人: 蔣亭

1.一種擴(kuò)散劑組合物，是向半導(dǎo)體基板印刷雜質(zhì)擴(kuò)散成分時(shí)使用的擴(kuò)散劑組合物，其特征在于，

含有以下述通式(1)表示的烷氧基硅烷為起始原料的縮合產(chǎn)物(A)、和雜質(zhì)擴(kuò)散成分(B)，

雜質(zhì)擴(kuò)散成分(B)是下述通式(2)表示的磷酸酯(C)，

式(1)中，R¹、R²為有機(jī)基團(tuán)，多個(gè)R¹、R²可以相同也可以不同，m是0、1、或2，

式(2)中，R³是烷基，n是1或2。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的擴(kuò)散劑組合物，其中，所述磷酸酯(C)的含量以組合物整體為基準(zhǔn)是50質(zhì)量％以下。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的擴(kuò)散劑組合物，其中，以組合物整體為基準(zhǔn)的水含量是1質(zhì)量％以下。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的擴(kuò)散劑組合物，其中，以組合物整體為基準(zhǔn)的水含量是1質(zhì)量％以下。

5.一種雜質(zhì)擴(kuò)散層的形成方法，其特征在于，包含：

在半導(dǎo)體基板上涂覆權(quán)利要求1所述的擴(kuò)散劑組合物從而形成圖案的圖案形成工序、以及

使所述擴(kuò)散劑組合物的雜質(zhì)擴(kuò)散成分(B)擴(kuò)散到所述半導(dǎo)體基板中的擴(kuò)散工序。

6.一種雜質(zhì)擴(kuò)散層的形成方法，其特征在于，包含：

在半導(dǎo)體基板上涂覆權(quán)利要求2所述的擴(kuò)散劑組合物從而形成圖案的圖案形成工序、以及

使所述擴(kuò)散劑組合物的雜質(zhì)擴(kuò)散成分(B)擴(kuò)散到所述半導(dǎo)體基板中的擴(kuò)散工序。

7.一種雜質(zhì)擴(kuò)散層的形成方法，其特征在于，包含：

在半導(dǎo)體基板上涂覆權(quán)利要求3所述的擴(kuò)散劑組合物從而形成圖案的圖案形成工序、以及

使所述擴(kuò)散劑組合物的雜質(zhì)擴(kuò)散成分(B)擴(kuò)散到所述半導(dǎo)體基板中的擴(kuò)散工序。

8.一種雜質(zhì)擴(kuò)散層的形成方法，其特征在于，包含：

在半導(dǎo)體基板上涂覆權(quán)利要求4所述的擴(kuò)散劑組合物從而形成圖案的圖案形成工序、以及

使所述擴(kuò)散劑組合物的雜質(zhì)擴(kuò)散成分(B)擴(kuò)散到所述半導(dǎo)體基板中的擴(kuò)散工序。

9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的雜質(zhì)擴(kuò)散層的形成方法，其中，所述半導(dǎo)體基板用在太陽(yáng)能電池中。

10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的雜質(zhì)擴(kuò)散層的形成方法，其中，所述半導(dǎo)體基板用在太陽(yáng)能電池中。

11.根據(jù)權(quán)利要求7所述的雜質(zhì)擴(kuò)散層的形成方法，其中，所述半導(dǎo)體基板用在太陽(yáng)能電池中。

12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的雜質(zhì)擴(kuò)散層的形成方法，其中，所述半導(dǎo)體基板用在太陽(yáng)能電池中。