[發(fā)明專(zhuān)利]抗輻射性的氟化物晶體的生產(chǎn)工藝有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201110365130.1 | 申請(qǐng)日： | 2011-11-17 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN102465331A | 公開(kāi)（公告）日： | 2012-05-23 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | U.帕爾 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人： | 卡爾蔡司SMT有限責(zé)任公司 |
| 主分類(lèi)號(hào)： | C30B11/00 | 分類(lèi)號(hào)： | C30B11/00;C30B29/12 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105 | 代理人： | 邱軍 |
| 地址： | 德國(guó)*** | 國(guó)省代碼： | 德國(guó);DE |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 輻射性 氟化物 晶體 生產(chǎn)工藝 | ||
1.一種對(duì)于紫外輻射具有高抗輻射性的氟化物晶體，特別是氟化鈣晶體的生產(chǎn)工藝，該工藝包括：
提供包含堿金屬氟化物或堿土金屬氟化物的晶體粉末(6)以形成原料晶體塊(14)；
在晶體生長(zhǎng)單元(11)中熔融所述原料晶體塊(14)；以及
通過(guò)冷卻而固化所述熔融的原料晶體塊(14)，
其中復(fù)合氟代酸的銨鹽(7)和脂族醇(8)被加入所述晶體粉末(6)或原料晶體塊(14)以減少氧化物雜質(zhì)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的工藝，其中所述復(fù)合氟代酸選自由四氟硼酸(HBF4)、六氟磷酸(HPF6)、六氟硅酸(H2SiF6)和六氟鈦酸(H2TiPF6)構(gòu)成的組。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的工藝，其中所述脂族醇(8)選自由甲醇(CH3OH)、乙醇(C2H5OH)、丙醇(C3H7OH)和丁醇(C4H9OH)構(gòu)成的組。
4.根據(jù)前述權(quán)利要求的任一項(xiàng)所述的工藝，其中過(guò)量的脂族醇(8)被加入所述晶體粉末(6)中以形成脂族醇懸浮液。
5.根據(jù)前述權(quán)利要求的任一項(xiàng)所述的工藝，其中所述復(fù)合氟代酸的所述銨鹽以按重量計(jì)0.01-7％的量，優(yōu)選地是按重量計(jì)0.02-5％的量加入到所述晶體粉末(6)或所述原料晶體塊(14)。
6.根據(jù)前述權(quán)利要求的任一項(xiàng)所述的工藝，其中所述熔融的步驟至少在低于200mbar的壓力下，優(yōu)選地在低于100mbar的壓力下執(zhí)行。
7.根據(jù)前述權(quán)利要求的任一項(xiàng)所述的工藝，其中所述熔融的步驟至少在500℃到1400℃范圍的溫度執(zhí)行。
8.根據(jù)前述權(quán)利要求的任一項(xiàng)所述的工藝，其中氨(10)被附加地引入到所述晶體粉末(6)或所述原料晶體塊(14)中。
9.一種氟化物晶體，特別是氟化鈣晶體(20)，通過(guò)前述權(quán)利要求任一項(xiàng)所述的工藝生產(chǎn)。
10.一種從權(quán)利要求9所述的氟化物晶體，特別是氟化鈣晶體(20)，制成的光學(xué)部件(21)，其中所述光學(xué)部件具有小于10×10-4l/cm，優(yōu)選地小于5×10-4l/cm的吸收系數(shù)飽和值。
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