[發明專利]陶瓷覆銅基板及其制造方法

無效

• 申請號: 201110365058.2
• 申請日: 2011-11-17
• 公開（公告）號: CN103117256A
• 公開（公告）日: 2013-05-22
• 發明（設計）人: 張繼東;賀賢漢
• 申請（專利權）人: 上海申和熱磁電子有限公司
• 主分類號: H01L23/15
• 分類號: H01L23/15;H01L21/48;C04B37/02
• 代理公司: 上海東方易知識產權事務所 31121
• 代理人: 沈原

1.陶瓷覆銅基板，其特征在于，包括：

陶瓷基板；

第一銅片，所述第一銅片設置在所述陶瓷基板的一側；

第二銅片，所述第二銅片設置在所述陶瓷基板的另一側；

第三銅片，所述第三銅片設置在所述陶瓷基板的一側，所述第三銅片與所述第二銅片同側，所述第三銅片設置在所述第二銅片的外側；

第四銅片，所述第四銅片設置在所述陶瓷基板的一側，所述第四銅片與所述第一銅片同側，所述第四銅片設置在所述第一銅片的外側。

2.根據權利要求1所述的陶瓷覆銅基板，其特征在于，所述第一銅片、所述第二銅片、所述第三銅片及所述第四銅片的表面包裹氧化亞銅。

3.根據權利要求1或2所述的陶瓷覆銅基板，其特征在于，所述第一銅片、所述第二銅片、所述第三銅片及所述第四銅片的厚度為0.3mm。

4.根據權利要求1所述的陶瓷覆銅基板，其特征在于，所述陶瓷基板的厚度為0.38mm。

5.陶瓷覆銅基板制造方法，其特征在于，包括如下步驟：

第一步，用清洗液對陶瓷基板及銅片進行清洗；

第二步，對銅片進行氧化；

第三步，將第一銅片、第二銅片、第三銅片及第四銅片依次燒結到陶瓷基板上。

6.根據權利要求5所述的陶瓷覆銅基板制造方法，其特征在于，所述清洗液為酸堿溶液或去離子水。

7.根據權利要求5所述的陶瓷覆銅基板制造方法，其特征在于，所述第一銅片及所述第二銅片采用加熱氧化法，氧化溫度為500℃～1000℃，氧化時間為15min～30min，氧化氣氛為氮氣保護下的氧化氣氛，其中氧含量為50ppm～300ppm。

8.根據權利要求5所述的陶瓷覆銅基板制造方法，其特征在于，所述第三銅片及所述第四銅片采用加熱氧化法，氧化溫度為500℃～1000℃，氧化時間為5min～30min，氧化氣氛為氮氣保護下的氧化氣氛，其中氧含量為50ppm～300ppm。

9.根據權利要求5所述的陶瓷覆銅基板制造方法，其特征在于，所述第一銅片的燒結溫度為1065℃～1080℃，燒結時間為15min～35min，氣氛為氮氣保護的氧化氣氛，其中氧含量為5ppm～50ppm。

10.根據權利要求5所述的陶瓷覆銅基板制造方法，其特征在于，所述第二銅片的燒結溫度為1065℃～1075℃，燒結時間為15min～35min，氣氛為氮氣保護的氧化氣氛，其中氧含量為5ppm～50ppm。

11.根據權利要求5所述的陶瓷覆銅基板制造方法，其特征在于，所述第三銅片及所述第四銅片的燒結溫度為1065℃～1080℃，燒結時間為15min～35min，氣氛為氮氣保護的氧化氣氛，其中氧含量為5ppm～10ppm。