[發明專利]晶圓級封裝方法及其封裝結構

有效

• 申請號: 201110364933.5
• 申請日: 2011-11-16
• 公開（公告）號: CN103117232A
• 公開（公告）日: 2013-05-22
• 發明（設計）人: 李曉燕;段志偉;陳慧
• 申請（專利權）人: 美新半導體（無錫）有限公司
• 主分類號: H01L21/56
• 分類號: H01L21/56;H01L23/31
• 代理公司: 無錫互維知識產權代理有限公司 32236
• 代理人: 王愛偉

1.一種晶圓級封裝方法，其特征在于：其包括以下步驟：

提供包含芯片單元的晶圓；

在晶圓正面進行第一次凸塊工藝處理；

在晶圓正面的相鄰芯片單元的相鄰凸塊之間進行兩次開槽，第一槽的寬度大于第二槽的寬度，第一槽的深度小于第二槽的深度，且小于芯片單元的厚度，并且第二槽的中心與第一槽的中心在同一條垂直于晶圓表面的直線上；

往第一槽和第二槽內填充包覆材料；

對晶圓背面進行包覆，包覆材料的高度高于晶圓背表面；和

單一化切割，以第一槽和第二槽的中心為切割中心進行切割。

2.如權利要求1所述的晶圓級封裝方法，其特征在于：所述晶圓級封裝方法在第一次凸塊工藝處理之后，晶圓正面開槽之前，還進一步包括對晶圓正面進行二次鈍化處理。

3.如權利要求1所述的晶圓級封裝方法，其特征在于：所述往第一槽和第二槽內填充包覆材料的步驟中，填充后，第一槽和第二槽內包覆材料的表面與芯片單元表面平齊。

4.如權利要求1所述的晶圓級封裝方法，其特征在于：所述往第一槽和第二槽內填充包覆材料的步驟中，填充后，第一槽和第二槽內包覆材料的表面高于凸塊表面。

5.如權利要求4所述的晶圓級封裝方法，其特征在于：所述往第一槽和第二槽內填充包覆材料的步驟之后，還進一步包括打磨晶圓正面，使凸塊露出；并且在對晶圓背面進行包覆的步驟之后，還進一步包括在晶圓正面進行第二次凸塊工藝處理。

6.如權利要求1或2所述的晶圓級封裝方法，其特征在于：所述晶圓級封裝方法在包覆晶圓背面之前，還進一步包括打磨晶圓背面。

7.如權利要求6所述的晶圓級封裝方法，其特征在于：所述打磨晶圓背面的步驟中，打磨厚度為露出包覆材料為限。

8.如權利要求6所述的晶圓級封裝方法，其特征在于：所述打磨晶圓背面的步驟之前，還包括在晶圓正面貼膜。

9.如權利要求1所述的晶圓級封裝方法，其特征在于：所述晶圓正面開槽的步驟中，第一槽和第二槽可以通過臺階式切割一次性完成。

10.如權利要求1所述的晶圓級封裝方法，其特征在于：所述往第一槽和第二槽內填充包覆材料的步驟中，填充方式可以是光刻膠填充、注塑、涂布、或絲網印刷。

11.一種權利要求1所述的晶圓級封裝方法得到的晶圓級封裝結構，其特征在于：其包括芯片單元，位于芯片單元正面之上的凸塊，以及包覆該芯片單元側面和背面的包覆層。

12.如權利要求11所述的晶圓級封裝結構，其特征在于：所述晶圓級封裝結構，還包括設置在芯片單元正面之上的二次鈍化層，所述二次鈍化層包覆在所述凸塊之間。

13.如權利要求11所述的晶圓級封裝結構，其特征在于：所述包覆層還進一步包覆所述芯片單元的正面。