[發明專利]半導體裝置的制造方法

有效

• 申請號: 201110364928.4
• 申請日: 2011-11-17
• 公開（公告）號: CN102623360A
• 公開（公告）日: 2012-08-01
• 發明（設計）人: 坂本健;鹿野武敏;田中貢;佐佐木太志
• 申請（專利權）人: 三菱電機株式會社
• 主分類號: H01L21/60
• 分類號: H01L21/60;H01L21/56;H01L21/02
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 閆小龍;王忠忠

1.一種半導體裝置的制造方法，該半導體裝置使用具有封裝外部區域和封裝內部區域并且在側面的上端設置有毛刺面且在所述側面的上端附近設置有斷裂面的引線框架，該半導體裝置的制造方法的特征在于，具有如下工序：

在所述封裝外部區域，對所述引線框架的所述側面的所述上端進行倒角加工；

在所述封裝內部區域，將半導體元件搭載在所述引線框架上，用樹脂進行密封；

在倒角加工以及樹脂密封之后，在所述封裝外部區域，將在所述引線框架的所述側面所設置的樹脂飛邊除去。

2.如權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，

還具有對所述引線框架的所述側面的下端進行倒角加工的工序。

3.如權利要求1或2所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，

在用所述樹脂進行密封時，使用模塑模具，

也同時利用所述模塑模具進行所述倒角加工。

4.如權利要求1或2所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，

在進行所述倒角加工并且用所述樹脂進行密封之后，對在所述引線框架的所述側面設置有所述樹脂飛邊的部分進行彎曲加工。