[發明專利]二氧化鈦基聚吡咯夾套納米管陣列及制備方法和儲能應用

無效

• 申請號: 201110364153.0
• 申請日: 2011-11-17
• 公開（公告）號: CN102418148A
• 公開（公告）日: 2012-04-18
• 發明（設計）人: 謝一兵;杜洪秀
• 申請（專利權）人: 東南大學
• 主分類號: C30B29/66
• 分類號: C30B29/66;C30B29/00;C30B30/02;C25B3/00;H01G9/042
• 代理公司: 南京天翼專利代理有限責任公司 32112
• 代理人: 湯志武

1.一種二氧化鈦基聚吡咯夾套納米管陣列，其特征在于：包括管墻獨立結構的二氧化鈦納米管陣列和在二氧化鈦納米管(I)內壁面、外壁面上均勻沉積的聚吡咯導電膜，由沉積在二氧化鈦納米管內壁面上的聚吡咯導電膜(II)、二氧化鈦納米管(I)及沉積在二氧化鈦納米管外壁面上的聚吡咯導電膜(III)形成同心軸中空結構的夾套納米管陣列，夾套納米管的管壁厚度范圍為50-80nm，管內直徑范圍為30-90nm，管高度范圍為900-1100nm。

2.根據權利要求1所述的二氧化鈦基聚吡咯夾套納米管陣列，其特征在于：管墻獨立結構的二氧化鈦納米管陣列是由相鄰管壁之間互相間隔分離的納米管構成，管壁間距范圍為35-60nm，管壁厚度范圍為10-20nm，管內直徑范圍為120-150nm，管高度范圍為900-1050nm。

3.一種二氧化鈦基聚吡咯夾套納米管陣列的制備方法，其特征在于：在三電極電化學反應體系中，以吡咯單體和高氯酸鋰的乙氰有機溶液為反應電解質溶液，以管墻獨立結構的二氧化鈦納米管陣列作為電極基體材料并作為工作電極，鉑片為輔助電極，飽和甘汞電極為參比電極，采用電聚合反應合成方法制備二氧化鈦基聚吡咯夾套納米管陣列。

4.根據權利要求3所述的二氧化鈦基聚吡咯夾套納米管陣列的制備方法，其特征在于：電聚合反應合成方法為脈沖伏安法，所述的脈沖伏安法設定在工作電極上的起始電位為0.7V，終止電位為1.1V，電位增量范圍為0.001-0.004V/s，采樣時間寬度為0.02s，脈沖寬度為0.006s，脈沖周期范圍為3-20s。

5.根據權利要求3所述的二氧化鈦基聚吡咯夾套納米管陣列的制備方法，其特征在于：電聚合反應的電解質溶液中的吡咯單體摩爾濃度范圍為0.10-0.15mol/L，高氯酸鋰摩爾濃度范圍為0.03-0.18mol/L，反應介質為乙氰有機溶劑。

6.一種權利要求1所述的二氧化鈦基聚吡咯夾套納米管陣列作為超級電容器電極材料進行電化學儲能的應用。