[發明專利]一種電子膨脹閥及其加工方法有效
| 申請號: | 201110363846.8 | 申請日: | 2011-11-16 |
| 公開(公告)號: | CN103115190A | 公開(公告)日: | 2013-05-22 |
| 發明(設計)人: | 不公告發明人 | 申請(專利權)人: | 浙江三花股份有限公司 |
| 主分類號: | F16K31/50 | 分類號: | F16K31/50;F16K31/44;F25B41/06;B24C1/10 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 312500 浙江*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 電子 膨脹 及其 加工 方法 | ||
1.一種電子膨脹閥,包括閥座(1)、固定在所述閥座(1)上的螺母(14)和套管(2)、固定在所述套管外側的線圈(3),所述的閥座(1)上開設有進口(11)、出口(12)以及連通所述進口(11)和出口(12)的閥口(13),所述套管(2)與所述閥座(1)構成腔體(4),所述腔體(4)內設有感受所述(3)線圈的磁場而轉動的磁轉子部件(5),在所述磁轉子部件(5)的下端設有閥桿(6),所述的磁轉子部件(5)上有絲桿(52),在所述絲桿(52)和螺母(14)上分設有第一螺紋段(52a)和第二螺紋段(14a),通過所述第一螺紋段(52a)和第二螺紋段(14a)的相互螺紋配合動作,使所述閥桿(6)沿其軸線方向升降運動,以改變所述閥口(13)處的流通面積,其特征在于,在所述絲桿(52)的第一螺紋段(52a)上具有通過微粒子噴射工藝或精密噴砂工藝處理的硬化層。
2.根據權利要求1所述的電子膨脹閥,其特征在于,在所述絲桿(52)和螺母(14)上還分設有相互配合的第一導向段(52b)和第二導向段(14b),在所述第一導向段(52b)上具有通過微粒子噴射工藝或精密噴砂工藝處理的硬化層。
3.根據權利要求1或2所述的電子膨脹閥,其特征在于,所述絲桿(52)為不銹鋼材料。
4.根據權利要求3所述的電子膨脹閥,其特征在于,所述硬化層的深度為小于0.06mm。
5.根據權利要求3所述的電子膨脹閥,其特征在于,所述硬化層的表面硬度為材料基體硬度的1.2倍以上。
6.一種電子膨脹閥,包括閥座(1)、固定在所述閥座(1)上的螺母(14)和套管(2)、和固定在所述套管外側的線圈(3),所述的閥座(1)上開設有進口(11)、出口(12)以及連通所述進口(11)和出口(12)的閥口(13),所述套管(2)與所述閥座(1)構成腔體(4),所述腔體(4)內設有感受所述線圈(3)的磁場而轉動的磁轉子部件(5),在所述磁轉子部件(5)的下端設有閥桿(6),所述的磁轉子部件(5)上有絲桿(52),在所述絲桿(52)和螺母(14)上分設有第一螺紋段(52a)和第二螺紋段(14a),通過所述第一螺紋段(52a)和第二螺紋段(14a)的相互螺紋配合動作,使所述閥桿(6)沿其軸線方向升降運動,以改變所述閥口(13)處的流通面積,其特征在于,在所述螺母(14)的第二螺紋段(14a)上具有通過微粒子噴射工藝或精密噴砂工藝處理的硬化層。
7.根據權利要求6所述的電子膨脹閥,其特征在于,在所述絲桿(52)和螺母(14)上還分設有相互配合的第一導向段(52b)和第二導向段(14b),在所述第二導向段(14b)上具有通過微粒子噴射工藝或精密噴砂工藝處理的硬化層。
8.根據權利要求6或7所述的電子膨脹閥,其特征在于,所述螺母(14)為銅質材料。
9.根據權利要求8所述的電子膨脹閥,其特征在于,所述硬化層的深度小于0.06mm。
10.根據權利要求8所述的電子膨脹閥,其特征在于,所述硬化層的表面硬度為材料基體硬度的1.2倍以上。
11.一種電子膨脹閥的加工方法,其電子膨脹閥包括閥座(1)、固定在所述閥座(1)上的螺母(14)和套管(2)、固定在所述套管外側的線圈(3),所述的閥座(1)上開設有進口(11)、出口(12)以及連通所述進口(11)和出口(12)的閥口(13),所述套管(2)與所述閥座(1)構成腔體(4),所述腔體(4)內設有感受所述(3)線圈的磁場而轉動的磁轉子部件(5),在所述磁轉子部件(5)的下端設有閥桿(6),所述的磁轉子部件(5)上有絲桿(52),在所述絲桿(52)和螺母(14)上分設有第一螺紋段(52a)和第二螺紋段(14a),通過所述第一螺紋段(52a)和第二螺紋段(14a)的相互螺紋配合動作,使所述閥桿(6)沿其軸線方向升降運動,以改變所述閥口(13)處的流通面積,其特征在于,在所述絲桿(52)的第一螺紋段(52a)和,/或螺母(14)的第二螺紋段(14a)通過微粒子噴射工藝或精密噴砂工藝硬化處理,在所述微粒子或噴砂材料中還添加有二硫化鉬(MoS2)材料。
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