[發(fā)明專利]一種鰭式場效應(yīng)管及其基體

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110363775.1
• 申請日: 2011-11-16
• 公開（公告）號: CN103117305A
• 公開（公告）日: 2013-05-22
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 趙猛
• 申請（專利權(quán)）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/06;H01L29/10
• 代理公司: 北京德琦知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11018
• 代理人: 牛崢;王麗琴

1.一種鰭式場效應(yīng)管FinFET基體，該基體為翅片結(jié)構(gòu)，包括其中間延伸有溝道區(qū)域的源極區(qū)域和漏極區(qū)域，其特征在于，該基體為多層應(yīng)力硅層。

2.如權(quán)利要求1所述的基體，其特征在于，所述多層應(yīng)力硅層至下而上包括單晶硅層、硅鍺層和/或硅碳層。

3.如權(quán)利要求1所述的基體，其特征在于，所述多層應(yīng)力硅層至下而上包括單晶硅層、硅碳層和硅鍺層。

4.如權(quán)利要求2或3所述的基體，其特征在于，所述硅碳層和硅鍺層為外延層或者離子注入層。

5.如權(quán)利要求4所述的基體，其特征在于，所述硅鍺層的鍺含量為5％～35％；所述硅碳層的碳含量為3％～15％。

6.如權(quán)利要求5所述的基體，其特征在于，所述多層應(yīng)力硅層的頂層進一步包括頂層單晶硅層。

7.如權(quán)利要求6所述的基體，其特征在于，所述頂層單晶硅層的厚度為5nm～50nm。

8.如權(quán)利要求1所述的基體，其特征在于，其中每個翅片為漏斗狀，每個漏斗包括頭部和尾部，其尾部延伸連接構(gòu)成溝道區(qū)域。

9.一種鰭式場效應(yīng)管FinFET，其特征在于，包括位于襯底上的如權(quán)利要求1至8任一項所述的FinFET基體和柵極結(jié)構(gòu)；其中，所述柵極結(jié)構(gòu)圍繞翅片結(jié)構(gòu)中間的溝道區(qū)域表面，該表面包括溝道區(qū)域的側(cè)壁和頂部。

10.如權(quán)利要求9所述的FinFET，其特征在于，所述FinFET為多個，其中，每個FinFET的翅片結(jié)構(gòu)平行排列，每個柵極結(jié)構(gòu)相互連接成一條直線。