[發(fā)明專利]半導(dǎo)體芯片的制造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201110363629.9 | 申請日： | 2011-11-16 |
| 公開（公告）號： | CN102403244A | 公開（公告）日： | 2012-04-04 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 顧奇龍;薛茗澤 | 申請（專利權(quán)）人： | 無錫輻導(dǎo)微電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/60 | 分類號： | H01L21/60;H03H3/00 |
| 代理公司： | 無錫互維知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 32236 | 代理人： | 王愛偉 |
| 地址： | 214125 江蘇省無*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 半導(dǎo)體 芯片 制造 方法 | ||
1.一種半導(dǎo)體芯片的制造方法，其包括：沖壓形成半導(dǎo)體芯片的引線框；將半導(dǎo)體晶圓焊接于所述引線框的一面；利用打線將晶圓與引線框的導(dǎo)腳連接；將引線框翻轉(zhuǎn)，把圓柱形晶振焊接于所述引線框的另一面；將晶圓、引線框及晶振進(jìn)行塑封制成芯片。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于：所述引線框包括位于中間的矩形晶圓承載部，所述晶圓承載部包括第一側(cè)邊、第二側(cè)邊、第三側(cè)邊以及第四側(cè)邊，自引線框的外框向承載部的第一側(cè)邊傾斜延伸形成兩個(gè)第一導(dǎo)腳，自兩個(gè)第一導(dǎo)腳的相對的一側(cè)沿平行于承載部第一側(cè)邊的方向相對延伸形成有焊接前述晶振的焊接腳。
3.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于：在將引線框翻轉(zhuǎn)焊接晶振之前，還包括在引線框焊接晶圓的一面設(shè)置一個(gè)凹陷托盤以避免晶圓打線被外界碰觸的步驟。
4.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于：在將圓柱形晶振焊接于引線框之前，其還包括將圓柱形晶振的引腳彎折，并將彎折后的晶振編制成晶振編帶的步驟。
5.如權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于：將所述晶振焊接于所述引線框是采用所述晶振編帶自動化將所述晶振焊接于所述引線框。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
