[發(fā)明專利]光學(xué)曝光方法及其用于制備硅材料豎直中空結(jié)構(gòu)的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110363182.5
• 申請日: 2011-11-16
• 公開（公告）號: CN102495526A
• 公開（公告）日: 2012-06-13
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 顧長志;田士兵;李俊杰;夏曉翔;楊海方
• 申請（專利權(quán)）人: 中國科學(xué)院物理研究所
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20;G03F7/00;G03F7/30;B81C1/00
• 代理公司: 北京泛華偉業(yè)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11280
• 代理人: 王勇

1.一種用于形成微納空穴結(jié)構(gòu)的光學(xué)曝光方法，包括以下步驟：

1)選取具有掩膜圖形的掩膜板，所述掩膜圖形為能通過光照產(chǎn)生泊松亮斑的幾何實(shí)心圖形或其陣列；

2)將掩膜板設(shè)置于待曝光的正光刻膠的上方進(jìn)行曝光，其中圖形陰影部分后的泊松亮斑同樣曝光；

3)顯影，在所述正光刻膠上得到具有與所述泊松亮斑相應(yīng)的空穴的圖形。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光學(xué)曝光方法，其特征在于，所述曝光采用硬接觸的曝光方式。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的光學(xué)曝光方法，其特征在于，所述顯影采用浸沒式顯影方式。

4.一種制備硅材料豎直中空結(jié)構(gòu)的方法，包括以下步驟：

1)選取襯底：選取硅片作為襯底；

2)涂膠：在硅襯底上涂附一層正光刻膠；

3)前烘：將步驟2)得到的涂有正光刻膠的硅襯底進(jìn)行加熱；

4)曝光：選取具有掩膜圖形的掩膜板，所述掩膜圖形為能通過光照產(chǎn)生泊松亮斑的幾何實(shí)心圖形；然后，將掩膜板設(shè)置于所述正光刻膠的上方進(jìn)行曝光，其中圖形陰影部分后的泊松亮斑同樣曝光；

5)顯影：在顯影液中用浸沒式顯影方式顯影，得到在正光刻膠的與所述泊松亮斑相應(yīng)的區(qū)域形成空穴的圖形；

6)圖形轉(zhuǎn)移：將步驟5)顯影得到的圖形刻蝕到硅襯底上得到中空結(jié)構(gòu)。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的制備方法，其特征在于，所述刻蝕采用低溫刻蝕工藝。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的制備方法，其特征在于，所述顯影采用浸沒式顯影方式。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制備方法，其特征在于，所述浸沒式顯影方式為保持曝光樣品在顯影時(shí)不要晃動，待顯影結(jié)束后將其慢慢拉出顯影液，從而得到環(huán)狀圖形。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制備方法，其特征在于，所述浸沒式顯影方式為在顯影液中沿某一方向移動曝光樣品，從而得到線對形狀的圖形。

9.根據(jù)權(quán)利要求1或4所述的方法，其特征在于，所述幾何實(shí)心圖形為實(shí)心的橢圓、圓形或多邊形。

10.根據(jù)權(quán)利要求1或4所述的方法，其特征在于，所述曝光在紫外曝光機(jī)上進(jìn)行，曝光劑量為100～500mJ/cm²。