[發明專利]發光器件和具有該發光器件的照明系統

有效

• 申請號: 201110363149.2
• 申請日: 2011-11-16
• 公開（公告）號: CN102544277A
• 公開（公告）日: 2012-07-04
• 發明（設計）人: 文用泰;韓大燮;李定植
• 申請（專利權）人: LG伊諾特有限公司
• 主分類號: H01L33/04
• 分類號: H01L33/04;F21S2/00
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司 11219
• 代理人: 夏凱;謝麗娜

技術領域

本發明涉及一種發光器件和具有該發光器件的照明系統。

背景技術

由于薄膜生長技術和器件材料的發展，諸如使用III-V族或II-VI族化合物半導體材料的發光二極管或激光二極管等的發光器件實現諸如紅、綠、藍的各種顏色的光以及紫外光，并且通過使用熒光材料或通過顏色混合實現白光。此外，與諸如熒光燈和白熾燈等的常規光源相比，該發光器件具有如下優點，諸如低功耗、半永久性壽命、很快的響應速度、穩定且環保。

因此，這些發光器件正越來越多地應用于：光學通信單元的發射模塊；發光二極管背光源，該發光二極管背光源替代冷陰極熒光燈(CCFL)構成液晶顯示(LCD)裝置的背光源；使用白光發光二極管替代熒光燈或白熾燈的照明設備；車輛的頭燈；以及交通燈。

發明內容

實施例提供一種改進了其發光效率的發光器件和具有該發光器件的照明系統。

在一個實施例中，發光器件包括：第一導電類型半導體層；鄰近第一導電類型半導體層的界面層，該界面層包括至少兩個超晶格結構；有源層，該有源層鄰近界面層；以及第二導電類型半導體層，該第二導電類型半導體層鄰近有源層，其中在同一方向上堆疊第一導電類型半導體層、界面層、有源層以及第二導電類型半導體層，第一和第二半導體層是不同的導電類型，鄰近有源層的超晶格結構的能帶隙小于鄰近第一導電類型半導體層的超晶格結構的能帶隙。

超晶格結構的能帶隙可以在朝著有源層的方向上減小。

形成超晶格結構之間的邊界的量子墻的能帶隙可以階梯式地減小。

界面層可以包括兩個到十個超晶格結構。

形成超晶格結構之間的邊界的量子墻能帶隙可以在朝著有源層的方向上傾斜地減少。

在超晶格結構的每一個中具有最大能帶隙的層的能帶隙可以小于超晶格結構之間的量子墻的能帶隙。

鄰近第一導電類型半導體層的超晶格結構的能帶隙可以小于或者等于第一導電類型半導體層的能帶隙。

鄰近有源層的超晶格結構的能帶隙可以大于或者等于有源層的能帶隙。

第一導電類型半導體層可以是N型半導體層，并且第二導電類型半導體層可以是P型半導體層。

在另一實施例中，發光器件包括：第一導電類型半導體層；鄰近第一導電類型半導體層的界面層，該界面層包括至少兩個超晶格結構；有源層，該有源層鄰近界面層；以及第二導電類型半導體層，該第二導電類型半導體層鄰近有源層，其中在同一方向上堆疊第一導電類型半導體層、界面層、有源層以及第二導電類型半導體層，第一和第二半導體層具有不同的導電類型，鄰近有源層的超晶格結構的In含量大于鄰近第一導電類型半導體層的超晶格結構的In含量。

超晶格結構的In含量可以在朝著有源層的方向上增加。

在超晶格結構中的每一個中，具有不同In含量的第一層和第二層可以被重復至少兩次。

超晶格結構可以具有Al_xIn_yGa_1-x-yN(在這里，0≤x，y≤1)的組成式。

形成超晶格結構之間的邊界的量子墻的In含量可以階梯式地增加。

形成超晶格結構之間的邊界的量子墻的In含量在朝著有源層的方向上傾斜地增加。

在超晶格結構中的每一個中具有最小In含量的層的In含量可以大于超晶格結構之間的量子墻的In含量。

鄰近第一導電類型半導體層的超晶格結構的In含量可能大于或者等于第一導電類型半導體層的In含量。

鄰近有源層的超晶格結構的In含量可能小于或者等于有源層的In含量。

在又一實施例中，照明系統包括：發光器件封裝，其中的每一個發光器件封裝包括：封裝主體；在封裝主體上的第一引線框和第二引線框；以及發光器件，該發光器件電連接到第一引線框和第二引線框；和電路板，該電路板將電流提供到發光器件封裝，其中發光器件包括：第一導電類型半導體層；鄰近第一導電類型半導體層的界面層，該界面層包括至少兩個超晶格結構；有源層，該有源層鄰近界面層；以及第二導電類型半導體層，該第二導電類型半導體層鄰近有源層，其中在同一方向上堆疊第一導電類型半導體層、界面層、有源層以及第二導電類型半導體層，第一和第二半導體層具有不同的導電類型，鄰近有源層的超晶格結構的能帶隙小于鄰近第一導電類型半導體層超晶格結構的能帶隙。

附圖說明

可以參考下面的附圖詳細地描述布置和實施例，在附圖中相同的附圖標記表示相同的元件，并且其中：

圖1A和圖1B是根據實施例的發光器件的截面圖；