[發明專利]一種零功耗的啟動電路控制方法和裝置有效
| 申請號: | 201110363115.3 | 申請日: | 2011-11-16 |
| 公開(公告)號: | CN103117649A | 公開(公告)日: | 2013-05-22 |
| 發明(設計)人: | 李照華;林道明;謝靖;王樂康;符傳匯 | 申請(專利權)人: | 深圳市明微電子股份有限公司 |
| 主分類號: | H02M1/36 | 分類號: | H02M1/36 |
| 代理公司: | 北京市立方律師事務所 11330 | 代理人: | 鄭瑜生 |
| 地址: | 518057 廣東省深圳市南山*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 功耗 啟動 電路 控制 方法 裝置 | ||
1.一種啟動電路,其特征在于,包括負閾值場效應管、使能模塊、防倒灌模塊以及電壓檢測模塊,
所述電壓檢測模塊檢測芯片的工作電壓VDD,當VDD達到芯片預定工作電壓時,所述芯片啟動,同時所述電壓檢測模塊輸出使能信號EN通過所述使能模塊關閉所述負閾值場效應管;
所述使能模塊接收所述EN信號,使得所述負閾值場效應管的柵源電壓為負值,關閉所述負閾值場效應管;
所述負閾值場效應管的源極連接所述防倒灌模塊,所述防倒灌模塊使得所述負閾值場效應管單向導通。
2.如權利要求1所述的啟動電路,其特征在于,所述負閾值場效應管包括開啟電壓閾值為負值的N型半導體器件。
3.如權利要求2所述的啟動電路,其特征在于,所述負閾值場效應管包括耗盡型場效應管或結型場效應管。
4.如權利要求1所述的啟動電路,其特征在于,所述電壓檢測模塊包括分壓電阻和電壓比較器,當檢測工作電壓VDD達到芯片預定工作電壓時,輸出使能信號EN。
5.如權利要求1所述的啟動電路,其特征在于,所述防倒灌模塊包括二極管或NMOS管,使得所述負閾值場效應管單向導通。
6.如權利要求1所述的啟動電路,其特征在于,所述使能模塊包括作為輸出驅動的反相器和作為開關用途的MOS管。
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H02M 用于交流和交流之間、交流和直流之間、或直流和直流之間的轉換以及用于與電源或類似的供電系統一起使用的設備;直流或交流輸入功率至浪涌輸出功率的轉換;以及它們的控制或調節
H02M1-00 變換裝置的零部件
H02M1-02 .專用于在靜態變換器內的放電管產生柵極控制電壓或引燃極控制電壓的電路
H02M1-06 .非導電氣體放電管或等效的半導體器件的專用電路,例如閘流管、晶閘管的專用電路
H02M1-08 .為靜態變換器中的半導體器件產生控制電壓的專用電路
H02M1-10 .具有能任意地用不同種類的電流向負載供電的變換裝置的設備,例如用交流或直流
H02M1-12 .減少交流輸入或輸出諧波成分的裝置





