[發明專利]一種實現MOCVD噴淋均勻性的裝置及應用

無效

• 申請號: 201110362542.X
• 申請日: 2011-11-16
• 公開（公告）號: CN102352493A
• 公開（公告）日: 2012-02-15
• 發明（設計）人: 龔岳俊;張瑜
• 申請（專利權）人: 上海卓銳材料科技有限公司
• 主分類號: C23C16/455
• 分類號: C23C16/455
• 代理公司: 上海碩力知識產權代理事務所 31251
• 代理人: 王法男

1.一種實現MOCVD噴淋均勻性的裝置，其特征在于：通過微孔設計布局在噴淋頭中構建分別用于同時輸送A族氣體、B族氣體和冷卻水三種流體的兩層或三層獨立空間孔道，使每一層獨立空間孔道延伸至噴淋頭體表面構成與外部供氣源和冷卻水分別連接的接口；同時，通過分別設計在A族氣體輸送孔道(1)和B族氣體輸送孔道(2)內底部設置的通達噴淋頭底面(5)的微孔通道(4、4’)，構成能充分實現“流速均勻”、“組分均勻”、“溫度均勻”的MOCVD噴淋出口的噴射面。

2.如權利要求1所述的一種實現MOCVD噴淋均勻性的裝置，其特征在于：所述的A族氣體輸送孔道(1)、B族氣體輸送孔道(2)呈平行、間隔狀態設于噴淋頭(M)的上部塊體內，所述的冷卻水輸送孔道(3)設于噴淋頭(M)下部塊體內，構成水平+水平上層進氣、下層過水的兩層結構模式；同時，將所述的冷卻水輸送孔道(3)穿插設置在所述A族氣體輸送孔道(1)、B族氣體輸送孔道(2)向下延伸的每相鄰兩組微孔通道(4、4’)之間，實現對相鄰微孔通道(4、4’)內的過流氣體的溫度調控。

3.如權利要求1所述的一種實現MOCVD噴淋均勻性的裝置，其特征在于：所述的B族氣體輸送孔道(2)呈平行狀態設于噴淋頭(M)的上部塊體，所述的冷卻水輸送孔道(3)設于噴淋頭(M)下部塊體內，所述的A族氣體輸送孔道(1)直接貫穿噴淋頭塊體上下，構成一種“垂直+水平”進氣和水平進水結構模式。

4.如權利要求1所述的一種實現MOCVD噴淋均勻性的裝置，其特征在于：在噴淋頭(M)上部增設一帶有頂部進氣口(7)或水平進氣口(7’)的上端蓋(8)，形成上部空腔，所述的B族氣體輸送孔道(2)呈平行狀態設于噴淋頭(M)的上部塊體內，所述的冷卻水輸送孔道(3)設于噴淋頭(M)體的下部塊體內，所述的A族氣體輸送孔道為直接貫穿噴淋頭上下的微孔通道(4)，它與B族氣體微孔通道相間隔設置，并與上端蓋內腔相通，由此構成垂直+水平進氣、下層過水的三層結構模式；同時，將所述的冷卻水輸送孔道(3)穿插設置在所述A族氣體輸送孔道(1)、B族氣體輸送孔道(2)向下延伸的每相鄰兩組微孔通道(4、4’)之間，實現對相鄰微孔通道(4、4’)內的過流氣體的溫度調控。

5.如權利要求1或3所述的一種實現MOCVD噴淋均勻性的裝置，其特征在于：所述的上端蓋(8)與噴淋頭(M)形成的空腔內設有一均化隔板(9)，并在均化隔板(9)以上的上端蓋(8)的頂部或側邊設有進氣口(N)。

6.如權利要求1所述的一種實現MOCVD噴淋均勻性的裝置，其特征在于：用于金屬有機物化學氣相沉積技術或其它類似技術領域。