[發明專利]一種自動實現射頻功率匹配的方法和系統

無效

• 申請號: 201110362541.5
• 申請日: 2011-11-16
• 公開（公告）號: CN102420579A
• 公開（公告）日: 2012-04-18
• 發明（設計）人: 劉鵬;楊偉;席朝暉
• 申請（專利權）人: 中微半導體設備（上海）有限公司
• 主分類號: H03H7/38
• 分類號: H03H7/38;H01J37/32
• 代理公司: 上海智信專利代理有限公司 31002
• 代理人: 王潔

1.一種運行一個處理系統的方法，所述處理系統包括等離子處理腔、本地控制器、遠端生產控制器，所述方法包括：

在所述遠端生產控制器內存儲一個處理工藝菜單，所述處理工藝菜單包括對所述等離子處理腔的射頻匹配網絡的設定值；

用所述工藝菜單的設定值激發所述等離子處理腔；

監測所述等離子處理腔的反射功率；

改變所述等離子處理腔的射頻匹配網絡的設定值，以獲得最小化的反射功率，以及，在獲得最小化的反射功率時，存儲新的射頻匹配網絡設定值到所述本地控制器，并且，

繼續根據所述處理工藝菜單運行該等離子處理腔，其中射頻匹配網絡設定值采用存儲在所述本地控制器中的所述新的射頻匹配網絡設定值。

2.根據權利要求1所述的一種運行一個處理系統的方法，其特征在于：其中改變所述等離子處理腔的射頻匹配網絡的設定值的步驟包括：

比較當前反射功率和一個閥值，如果當前反射功率超出所述閥值，則執行：

在第一方向上增加所述射頻匹配網絡的設定值，并判斷反射功率是增加或是減少；

如果反射功率增加，則向與第一方向相反的第二方向增加所述射頻匹配網絡的設定值；

如果反射功率減少，則在第一方向上再次增加所述射頻匹配網絡的設定值。

3.根據權利要求2所述的一種運行一個處理系統的方法，其特征在于：其中每次增加都是以預設幅度進行。

4.根據權利要求3所述的一種運行一個處理系統的方法，其特征在于：還包括繼續沿所述反射功率減少的方向增加所述射頻匹配網絡的設定值，直到某一次設定值的增加顯示所述反射功率開始增加，在這一點下，存儲一個替換的設定值到所述本地控制器中。

5.根據權利要求1所述的一種運行一個處理系統的方法，其特征在于：其中對所述射頻匹配網絡的設定包括對所述射頻匹配網絡中一可變單元的設定。

6.根據權利要求5所述的一種運行一個處理系統的方法，其特征在于：其中所述可變單元包括一個可變電容。

7.根據權利要求5所述的一種運行一個處理系統的方法，其特征在于：其中所述可變單元包括一個可變電感。

8.一種等離子處理系統，包括：

多個等離子處理平臺，每個等離子處理平臺具有一個各自的射頻功率發射裝置；

多個射頻匹配網絡，每個射頻匹配網絡分別耦合到一個所述的射頻功率發射裝置并且所述每個射頻匹配網絡都包括一個可控的可變單元；

多個射頻發生器，每個分別耦合到所述射頻匹配網絡；

一個耦合到一生產控制器的本地控制器，所述本地控制器根據存儲在所述生產控制器中的工藝菜單運行所述多個等離子處理平臺，并進一步根據從所述工藝菜單中接收的參數或者存儲在所述本地控制器的參數來選擇性地調整所述每個射頻匹配網絡中的所述可控的可變單元。

9.根據權利要求8所述的等離子處理系統，其特征在于：其中所述本地控制器監測每個等離子處理平臺的反射功率并調整各自射頻匹配網絡中的可變單元以最小化反射功率。

10.根據權利要求9所述的等離子處理系統，其特征在于：其中當所述控制器調整所述可控的可變單元以最小化反射功率后，所述控制器存儲調整后的設定值到本地控制器但不改變存儲在所述生產控制器中的工藝菜單。

11.根據權利要求10所述的等離子處理系統，其特征在于：其中所述可控的可變單元包括可變電容、可變電感和可變電阻之一。

12.根據權利要求10所述的等離子處理系統，其特征在于：其中所述可控的可變單元包括一個可變旁路電容或者一可變旁路電容與其它部件的組合體。