[發明專利]一種C/SiO2/SiC吸波復合材料及其制備方法無效
| 申請號： | 201110362411.1 | 申請日： | 2011-11-16 |
| 公開（公告）號： | CN102504761A | 公開（公告）日： | 2012-06-20 |
| 發明（設計）人： | 李勁;劉洪波;邵南子 | 申請（專利權）人： | 湖南大學 |
| 主分類號： | C09K3/00 | 分類號： | C09K3/00;B01J19/24;B01F5/06 |
| 代理公司： | 長沙正奇專利事務所有限責任公司 43113 | 代理人： | 馬強 |
| 地址： | 410082 湖南*** | 國省代碼： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 sio sub sic 復合材料 及其 制備 方法 | ||
1.一種C/SiO2/SiC吸波復合材料，其特征是，該復合材料通過以下原料和方法制備得到：
(1)將硅烷試劑與基體炭按照質量比為硅烷試劑∶基體炭＝0.1-0.5∶1的比例在20℃-25℃的條件下進行表面吸附處理，然后在管式反應器中進行60℃～160℃固化處理，得到固化復合體；其中，所述硅烷試劑為正硅酸乙酯或γ-氨丙基三乙氧基硅烷，所述基體炭為活性炭、瀝青炭或樹脂炭；
(2)將上述固化復合體進行機械破碎經過篩分后為200～300目后得到粉體；
(3)將上述粉體在裝入管式反應器中，然后將管式反應器放入回轉管式爐中，在墮性氣體保護下進行炭化處理；所述炭化處理采用程序升溫，升溫過程為：以1℃/min～5℃/min的速率升到800-1000℃保溫1-3h，然后以15℃/min～20℃/min的升溫速率升到1200～1400℃保溫2-4h；
步驟(1)和(3)中，所述管式反應器內壁設置2～4條1mm～100mm寬的螺旋片，螺旋片與反應器的中軸線保持20°～60°傾斜角；且管式反應器內壁規則布置有2mm～5mm高度的錐形刀口。
2.根據權利要求1所述C/SiO2/SiC吸波復合材料，其特征是，所述復合材料的體積密度為1.2～3.0g/cm3，電阻率為1×10-2～1×103Ω·m。
3.一種C/SiO2/SiC吸波復合材料的制備方法，其特征是，包括如下具體步驟：
(1)將硅烷試劑與基體炭按照質量比為硅烷試劑∶基體炭＝0.1-0.5∶1的比例在20℃-25℃的條件下進行表面吸附處理，然后在管式反應器中進行60℃～160℃固化處理，得到固化復合體；
(2)將上述固化復合體進行機械破碎得到粉體；
(3)將上述粉體在裝入管式反應器中，然后將管式反應器放入回轉管式爐中，在墮性氣體保護下進行炭化處理；所述炭化處理采用程序升溫，升溫過程為：以1℃/min～5℃/min的速率升到800-1000℃保溫1-3h，然后以15℃/min～20℃/min的升溫速率升到1200～1400℃保溫2-4h；
步驟(1)和(3)中，所述管式反應器內壁設置2～4條1mm～100mm寬的螺旋片，螺旋片與反應器的中軸線保持20°～60°傾斜角；且管式反應器內壁規則布置有2mm～5mm高度的錐形刀口。
4.根據權利要求3所述C/SiO2/SiC吸波復合材料的制備方法，其特征是，所述硅烷試劑為正硅酸乙酯或γ-氨丙基三乙氧基硅烷。
5.根據權利要求3所述C/SiO2/SiC吸波復合材料的制備方法，其特征是，所述基體炭為活性炭、瀝青炭或樹脂炭。
6.根據權利要求3所述C/SiO2/SiC吸波復合材料的制備方法，其特征是，所述粉體是經過篩分后為200～300目的粉體。
7.根據權利要求3所述C/SiO2/SiC吸波復合材料的制備方法，其特征是，所述管式反應器內部放有1mm～10mm直徑的鋼珠。
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