[發明專利]一種刻蝕金屬鎢材料的方法

有效

• 申請號: 201110362347.7
• 申請日: 2011-11-15
• 公開（公告）號: CN102372250A
• 公開（公告）日: 2012-03-14
• 發明（設計）人: 陳兢;胡佳;張軼銘;陳書慧;李男男;李天宇
• 申請（專利權）人: 北京大學
• 主分類號: B81C1/00
• 分類號: B81C1/00
• 代理公司: 北京君尚知識產權代理事務所(普通合伙) 11200
• 代理人: 李稚婷

1.一種刻蝕金屬鎢材料的方法，在金屬鎢材料上形成刻蝕掩膜，然后對金屬鎢材料進行高密度等離子體干法刻蝕，其中，等離子體密度大于10¹²cm^-3。

2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，采用感應耦合或變壓器耦合產生高密度等離子體對金屬鎢材料進行干法刻蝕。

3.如權利要求2所述的方法，其特征在于，采用感應耦合等離子體或變壓器耦合等離子體刻蝕，設定線圈功率≥600W，平板功率≥150W，刻蝕過程中下電極托盤設置溫度≤5℃，刻蝕腔體內氣壓≤50mTorr。

4.如權利要求1所述的方法，其特征在于，刻蝕氣體包括氟基氣體、氯基氣體、溴基氣體或它們的組合。

5.如權利要求4所述的方法，其特征在于，刻蝕氣體還包括O₂和/或Ar。

6.如權利要求5所述的方法，其特征在于，采用SF₆和O₂的氣體組合作為刻蝕氣體。

7.如權利要求6所述的方法，其特征在于，O₂氣體流量占SF₆和O₂氣體總流量的60％～80％。

8.如權利要求7所述的方法，其特征在于，SF₆氣體流量為50sccm～200sccm。

9.如權利要求8所述的方法，其特征在于，刻蝕氣體中還添加有流量為5sccm～50sccm的Cl₂。

10.如權利要求3所述的方法，其特征在于，采用感應耦合等離子體干法刻蝕對金屬鎢材料進行刻蝕，刻蝕參數是：線圈功率為600瓦～1000瓦；平板功率為100瓦～400瓦；下電極托盤設置溫度≤5℃；腔體氣壓≤50mTorr；刻蝕氣體是SF₆和O₂的組合氣體，其中SF₆氣體流量為50sccm～200sccm，O₂氣體流量占SF₆和O₂流量之和的60％～80％。