[發明專利]電抗器

無效

• 申請號: 201110361948.6
• 申請日: 2011-11-15
• 公開（公告）號: CN103107000A
• 公開（公告）日: 2013-05-15
• 發明（設計）人: 葛玉江
• 申請（專利權）人: 瑞力盟數控技術(常州)有限公司
• 主分類號: H01F27/26
• 分類號: H01F27/26;H01F27/24
• 代理公司: 蘇州廣正知識產權代理有限公司 32234
• 代理人: 張利強

技術領域

本發明涉及一種電抗器。

背景技術

在傳統設計方案中，整體鐵芯使用取向硅鋼片，再加上取向硅鋼的低飽和磁密的局限性，電抗器的實際磁密Bm比較低，所以產品的線性度較差(一般1.2倍)，產品的體積、重量比較大，成本比較高。用取向硅鋼制作的電抗器，主要適用于低頻領域，僅對低次諧波有比較明顯的效果，當系統電路中存在高次諧波或高頻直流分量時，取向硅鋼電抗器的濾波效果不明顯，而且容易產生噪音，鐵芯柱發熱很高，功率損耗增大。用取向硅鋼制作的電抗器，在制作過程中，大部分依靠手工疊片的操作，工藝復雜，生產效率低下。

目前取向硅鋼片的加工方法一般采用單片沖壓的方式，硅鋼片的毛刺比較大，片與片之間存在不可避免的尺寸誤差，再加上電抗器制作過程中，采用手工疊片的方式，最終加工成的塊狀鐵芯厚度不均，造成電抗器的氣隙高度的不穩定，以致電抗器的性能的一致性較差。

發明內容

本發明主要解決的技術問題是提供一種能夠降低噪音、提高產品線性度及一致性、降低功率消耗、使用壽命長的電抗器。

為解決上述技術問題，本發明采用的一個技術方案是：提供一種電抗器，包括上鐵芯、下鐵芯及設置在上鐵芯、下鐵芯之間的納米晶鐵芯柱，所述納米晶鐵芯柱外層包覆有抗拉伸層，納米晶鐵芯柱上設置有若干道氣隙。

在本發明一個較佳實施例中，所述上鐵芯、下鐵芯和納米晶鐵芯柱之間通過焊接連接。

在本發明一個較佳實施例中，所述納米晶鐵芯柱上設置有三道氣隙。

在本發明一個較佳實施例中，所述氣隙間采用高溫固化膠粘結。

在本發明一個較佳實施例中，所述抗拉伸層與納米晶鐵芯柱之間通過樹脂澆筑層粘接。

在本發明一個較佳實施例中，所述上鐵芯、下鐵芯為電工硅鋼鐵芯。

本發明的有益效果是：本發明采用納米晶鐵芯柱，縮小了產品的體積，降低了產品的功率損耗，提高了產品的線性度、一致性、抗高頻直流載波的能力；納米晶鐵芯柱外層通過樹脂澆筑層包覆有抗拉伸層，使得電抗器震動明顯減小，噪聲顯著降低，同時，樹脂澆筑層還具有良好的耐熱性，其玻璃化溫度高，在180℃以下不會變軟，而由電抗器的納米晶鐵芯柱發熱引起的溫升達不到樹脂澆筑層的玻璃化溫度，因此從本質上解決了樹脂澆筑層變軟問題，保證了電抗器產品的質量。

附圖說明

圖1是本發明電抗器一較佳實施例的立體結構示意圖；

附圖中各部件的標記如下：1、上鐵芯，2、下鐵芯，3、鐵芯柱，4、抗拉伸層，5、樹脂澆筑層，6、氣隙。

具體實施方式

下面結合附圖對本發明的較佳實施例進行詳細闡述，以使本發明的優點和特征能更易于被本領域技術人員理解，從而對本發明的保護范圍做出更為清楚明確的界定。

請參閱圖1，本發明實施例包括：

一種電抗器，包括上鐵芯1、下鐵芯2及設置在上鐵芯1、下鐵芯2之間的納米晶鐵芯柱3，所述納米晶鐵芯柱3外層包覆有抗拉伸層4，納米晶鐵芯柱3上設置有若干道氣隙6。

所述上鐵芯1、下鐵芯2為電工硅鋼鐵芯，上鐵芯1、下鐵芯2和納米晶鐵芯柱3之間通過焊接連接，納米晶鐵芯柱3上設置有三道氣隙6，所述氣隙6間采用高溫固化膠粘結。

與傳統的設計方案相比，用納米晶作為電抗器的鐵芯柱，提高了電抗器的整體設計磁密，縮小了產品的體積10％以上，降低了產品的材料成本。而且降低了產品的損耗20％以上，提高了產品的線性度(一般1.4倍以上)，增加了產品的抗高頻直流載波的能力。同時使用低成本的電工硅鋼片，作為電抗器的頂部、底部材料，起到了整個電抗器的固定作用，也進一步降低了整個產品的成本。而且納米晶可以直接制作成需要的塊狀鐵芯，無需另外疊片，至少提高30％的生產效率，降低了生產成本。因其一次成型的加工工藝，鐵的切斷面非常整齊，有效的控制了產品氣隙的高度，提高了批量產品性能的一致性。三道氣隙6的結構使氣隙分段，有效地降低了損耗，并且提高了電抗器的抗高頻能力。

納米晶鐵芯柱3外層通過樹脂澆筑層5粘接有抗拉伸層4，使得電抗器震動明顯減小，噪聲顯著降低，同時，樹脂澆筑層5還具有良好的耐熱性，其玻璃化溫度高，在180℃以下不會變軟，而由電抗器的納米晶鐵芯柱3發熱引起的溫升達不到樹脂澆筑層5的玻璃化溫度，因此從本質上解決了樹脂澆筑層5變軟問題，保證了電抗器產品的質量，延長了電抗器的使用壽命。

以上所述僅為本發明的實施例，并非因此限制本發明的專利范圍，凡是利用本發明說明書及附圖內容所作的等效結構或等效流程變換，或直接或間接運用在其他相關的技術領域，均同理包括在本發明的專利保護范圍內。