[發明專利]基于機械彎曲臺的SiN埋絕緣層上單軸應變SGOI晶圓的制作方法

有效

• 申請號: 201110361521.6
• 申請日: 2011-11-16
• 公開（公告）號: CN102437019A
• 公開（公告）日: 2012-05-02
• 發明（設計）人: 戴顯英;李志;邵晨峰;王船寶;郝躍;張鶴鳴;王曉晨
• 申請（專利權）人: 西安電子科技大學
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L21/74
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種基于機械彎曲臺的SiN埋絕緣層上單軸應變SGOI晶圓的制作方法，其特征在于，包括以下步驟：1)SGOI晶圓頂層SiGe層面向上或向下放置在弧形彎曲臺上；2)兩根圓柱形不銹鋼壓桿分別水平放置在SGOI晶圓兩端，距SGOI晶圓邊緣1cm；3)緩慢旋動連接壓桿的螺帽，使SGOI晶圓沿弧形臺面逐漸彎曲，直至SGOI晶圓完全與弧形臺面貼合；4)載有SGOI晶圓的弧形彎曲臺放置在退火爐中進行退火，退火溫度在250℃至1250℃范圍內可任意選擇；5)退火結束后緩慢降溫至室溫，取出載有SGOI晶圓片的弧形彎曲臺；6)旋動連接壓桿的螺帽，將壓桿緩慢提升，直至彎曲的SGOI晶圓回復原狀。

2.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述的彎曲臺的曲率半徑可從1.2m到0.4m連續變化，其對應制作不同應變量的單軸應變SGOI晶圓；彎曲臺材料采用ZG40Cr25Ni20耐熱鋼材料。

3.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述步驟4)的退火工藝為：在250℃下退火10小時；或者在800℃下退火3小時；或者在1250℃下退火2小時。

4.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述SGOI晶圓為4英寸、5英寸、6英寸、8英寸、12英寸的SGOI晶圓。