[發明專利]具有高形狀各向異性的XMR傳感器

有效

• 申請號: 201110360959.2
• 申請日: 2011-11-15
• 公開（公告）號: CN102565505A
• 公開（公告）日: 2012-07-11
• 發明（設計）人: O.屈恩;K.普羅伊格爾;R.施萊德茨;A.斯特拉澤;N.泰森;J.齊梅爾
• 申請（專利權）人: 英飛凌科技股份有限公司
• 主分類號: G01R19/00
• 分類號: G01R19/00
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 劉春元;盧江

1.一種磁阻傳感器元件，包括：

第一磁阻堆疊部分，其包括自由層并且具有第一、第二、第三和第四側邊；和

第二磁阻堆疊部分，其耦合到所述第一磁阻堆疊部分并且具有與所述第一、第二、第三和第四側邊均不齊平的第五、第六、第七和第八側邊。

2.如權利要求1所述的磁阻傳感器元件，其中所述第一、第二、第三和第四側邊限定了具有第一面積的第一表面，并且其中所述第五、第六、第七和第八側邊限定了具有不同于所述第一面積的第二面積的第二表面。

3.如權利要求2所述的磁阻傳感器元件，其中所述第二面積大于所述第一面積。

4.如權利要求2所述的磁阻傳感器元件，其中所述第二面積小于所述第一面積。

5.如權利要求1所述的磁阻傳感器元件，其中所述磁阻傳感器元件是巨磁阻（GMR）或隧道磁阻（TMR）傳感器元件之一。

6.如權利要求1所述的磁阻傳感器元件，其中所述第一磁阻堆疊部分通過鑲嵌過程形成而所述第二磁阻堆疊部分通過蝕刻過程形成。

7.如權利要求6所述的磁阻傳感器元件，其中所述蝕刻過程包括化學蝕刻或濺射蝕刻之一。

8.如權利要求1所述的磁阻傳感器元件，其中所述第一磁阻堆疊部分通過剝離過程形成而所述第二磁阻堆疊部分通過蝕刻過程形成。

9.如權利要求8所述的磁阻傳感器元件，其中所述蝕刻過程包括化學蝕刻或濺射蝕刻之一。

10.如權利要求1所述的磁阻傳感器元件，其中所述第一和第二磁阻堆疊部分通過鑲嵌過程形成。

11.如權利要求1所述的磁阻傳感器元件，其中所述第一、第二、第三或第四側邊中的至少一個具有約200納米或更少的長度。

12.一種制造磁阻傳感器元件的方法，包括：

提供襯底；

將電介質層施加于所述襯底并且對所述電介質層進行構造；

施加自由層系統并對所述自由層系統進行構造；

將附加堆疊層施加于所述自由層系統上；并且

對所述附加堆疊層進行構造以使得所述附加堆疊層的橫向尺寸大于所述自由層系統的橫向尺寸，并且所述附加堆疊層的側邊與所述自由層系統的側邊不齊平。

13.如權利要求12所述的方法，進一步包括在施加所述附加堆疊層之前通過化學機械拋光（CMP）過程去除所述電介質層上的自由層系統材料。

14.如權利要求12所述的方法，其中對所述電介質層進行構造包括在所述電介質層中形成溝槽，并且其中施加所述自由層系統包括利用自由層系統材料填充所述溝槽。

15.如權利要求14所述的方法，其中所述溝槽的長度或寬度中的至少一個為大約200納米或更少。

16.如權利要求12所述的方法，其中所述磁阻傳感器元件包括巨磁阻（GMR）效應或隧道磁阻（TMR）效應之一。

17.一種制造磁阻傳感器元件的方法，包括：

提供襯底；

將第一電介質層施加于所述襯底；

在所述第一電介質層中形成溝槽；

將xMR堆疊施加于所述第一電介質層上，所述溝槽的高度大于所述xMR堆疊的高度；

將第二電介質層施加于所述xMR堆疊上；并且

從所述第一電介質層去除所述xMR堆疊和第二電介質層的部分。

18.如權利要求17所述的方法，其中所述xMR堆疊包括巨磁阻（GMR）效應或隧道磁阻（TMR）效應之一。

19.如權利要求17所述的方法，其中去除所述xMR堆疊和第二電介質層的部分包括應用化學機械拋光（CMP）過程。

20.如權利要求17所述的方法，其中所述溝槽的長度或寬度中的至少一個為大約200納米或更少。