[發明專利]磁阻感測元件與磁阻傳感器

無效

• 申請號: 201110360939.5
• 申請日: 2011-11-15
• 公開（公告）號: CN103033771A
• 公開（公告）日: 2013-04-10
• 發明（設計）人: 傅乃中;陳光鏡;劉富臺
• 申請（專利權）人: 宇能電科技股份有限公司
• 主分類號: G01R33/09
• 分類號: G01R33/09
• 代理公司: 上海波拓知識產權代理有限公司 31264
• 代理人: 楊波

1.一種磁阻感測元件，其特征是：所述磁阻感測元件包括基板、磁阻感測單元以及磁場方向調整單元；所述磁阻感測單元設置于所述基板上方，可隨著平行所述基板表面的第一外加磁場而產生電阻值變化；所述磁場方向調整單元設置于所述基板上方，可將垂直所述基板表面的第二外加磁場導引至所述第一外加磁場方向，進而使所述磁阻感測單元可隨著所述第二外加磁場而產生電阻值變化。

2.根據權利要求1所述的磁阻感測元件，其特征是：所述磁阻感測單元包括水平分量磁阻結構以及導體結構；所述水平分量磁阻結構形成于所述基板上方；所述導體結構形成于所述基板上方，其延伸方向與所述水平分量磁阻結構的延伸方向呈一個角度，所述角度大于零度且小于90度，可改變所述水平分量磁阻結構內的電流方向，從而使所述水平分量磁阻結構隨著所述第一外加磁場而產生線性的電阻值變化。

3.根據權利要求2所述的磁阻感測元件，其特征是：所述水平分量磁阻結構位于所述導體結構上方。

4.根據權利要求2所述的磁阻感測元件，其特征是：所述水平分量磁阻結構位于所述導體結構下方。

5.根據權利要求2所述的磁阻感測元件，其特征是：所述磁場方向調整單元為垂直分量磁阻結構，與所述水平分量磁阻結構構成立體磁阻結構。

6.根據權利要求5所述的磁阻感測元件，其特征是：所述垂直分量磁阻結構形成于所述基板中的一個溝槽或多個溝槽中的側壁上。

7.根據權利要求5所述的磁阻感測元件，其特征是：所述垂直分量磁阻結構形成于所述基板上的一個凸塊或多個凸塊的外圍側壁上。

8.根據權利要求5所述的磁阻感測元件，其特征是：所述垂直分量磁阻結構形成于所述基板上的一個階梯構造的兩邊側壁上。

9.根據權利要求1所述的磁阻感測元件，其特征是：所述磁場方向調整單元為磁通量導引單元，可改變空間中的磁場分布，進而將所述第二外加磁場的磁通量集中并導引至所述第一外加磁場方向。

10.一種磁阻傳感器，其特征是：所述磁阻傳感器包括有四個如權利要求1所述的磁阻感測元件的第一磁阻感測元件、第二磁阻感測元件、第三磁阻感測元件及第四磁阻感測元件，所述這些磁阻感測元件組成惠斯登電橋，其中所述第二磁阻感測元件、所述第四磁阻感測元件同時與所述第一磁阻感測元件、所述第三磁阻感測元件直接相連，所述電橋的輸出電壓不隨著平行所述基板表面的所述第一外加磁場變化而改變，僅隨著垂直所述基板表面的所述第二外加磁場變化而改變。