[發(fā)明專利]光模塊突發(fā)發(fā)射光功率的監(jiān)控方法及光模塊

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110360764.8
• 申請(qǐng)日: 2011-11-15
• 公開（公告）號(hào): CN102394696A
• 公開（公告）日: 2012-03-28
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 程磊;張華;吳錫貴;葛君
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 青島海信寬帶多媒體技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): H04B10/08
• 分類號(hào): H04B10/08
• 代理公司: 青島聯(lián)智專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 37101
• 代理人: 李升娟

1.一種光模塊突發(fā)發(fā)射光功率的監(jiān)控方法，其特征在于，所述方法包括下述步驟：

在光模塊組裝完后，觸發(fā)光模塊的激光器發(fā)射一個(gè)初始光功率，讀取該初始光功率對(duì)應(yīng)的第一功率值及該第一功率值對(duì)應(yīng)的第一偏置電流值；

然后，對(duì)光模塊進(jìn)行帶電老化，在老化環(huán)境溫度穩(wěn)定后，讀取老化穩(wěn)定時(shí)的第二功率值及該第二功率值對(duì)應(yīng)的第二偏置電流值；

利用第一功率值、第一偏置電流值及第二功率值和第二偏置電流值擬合激光器的溫度特性曲線；

利用溫度特性曲線計(jì)算某個(gè)偏置電流和溫度對(duì)應(yīng)的突發(fā)發(fā)射光功率。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的監(jiān)控方法，其特征在于，所述突發(fā)發(fā)射光功率值滿足SFF?8472標(biāo)準(zhǔn)要求。

3.一種光模塊，包括殼體，以及設(shè)置在殼體內(nèi)的激光器、光電探測(cè)器和電路板，其特征在于，所述光模塊采用下述方法監(jiān)控突發(fā)發(fā)射光功率：

在光模塊組裝完后，觸發(fā)光模塊的激光器發(fā)射一個(gè)初始光功率，讀取該初始光功率的第一功率值及該第一功率值對(duì)應(yīng)的第一偏置電流值；

然后，對(duì)光模塊進(jìn)行帶電老化，在老化環(huán)境溫度穩(wěn)定后，讀取老化穩(wěn)定的第二功率值及該第二功率值對(duì)應(yīng)的第二偏置電流值；

利用第一功率值、第一偏置電流值及第二功率值和第二偏置電流值擬合激光器的溫度特性曲線；

利用溫度特性曲線及監(jiān)測(cè)的偏置電流值和溫度值計(jì)算對(duì)應(yīng)的突發(fā)發(fā)射光功率值。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的光模塊，其特征在于，所述電路板上設(shè)置有對(duì)所述激光器進(jìn)行驅(qū)動(dòng)的激光器驅(qū)動(dòng)電路單元、對(duì)光電探測(cè)器接收的光信號(hào)進(jìn)行限幅放大的限幅放大電路單元，以及對(duì)光模塊進(jìn)行控制的模塊控制電路單元，激光器驅(qū)動(dòng)電路單元、限幅放大電路單元及模塊控制電路單元采用第一集成電路芯片實(shí)現(xiàn)。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的光模塊，其特征在于，所述光電探測(cè)器為雪崩光電二極管APD，所述電路板上還設(shè)置有為APD提供升壓的升壓電路單元、提供倍壓的倍壓電路單元以及獲取APD鏡像電流的鏡像電流電路單元，升壓電路單元、倍壓電路單元及鏡像電流電路單元采用第二集成電路芯片實(shí)現(xiàn)。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的光模塊，其特征在于，所述電路板為一塊，所述第一集成電路芯片和所述第二集成電路芯片設(shè)置在該電路板上。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的光模塊，其特征在于，所述第一集成電路芯片及所述第二集成電路芯片上均設(shè)置有導(dǎo)熱膠，第一集成電路芯片及第二集成電路芯片通過(guò)導(dǎo)熱膠與所述殼體相接觸。

8.根據(jù)權(quán)利要求3至7中任一項(xiàng)所述的光模塊，其特征在于，所述激光器、所述光電探測(cè)器及所述電路板采用SFF封裝結(jié)構(gòu)封裝在所述殼體內(nèi)。