[發明專利]一種互連延遲寄生參數的分析方法無效
| 申請號: | 201110360476.2 | 申請日: | 2011-11-15 |
| 公開(公告)號: | CN102508975A | 公開(公告)日: | 2012-06-20 |
| 發明(設計)人: | 石艷玲;李曦;汪明娟;張孟迪;任錚;胡少堅;陳壽面 | 申請(專利權)人: | 華東師范大學;上海集成電路研發中心有限公司 |
| 主分類號: | G06F17/50 | 分類號: | G06F17/50 |
| 代理公司: | 上海麥其知識產權代理事務所(普通合伙) 31257 | 代理人: | 董紅曼 |
| 地址: | 200062 上*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 互連 延遲 寄生 參數 分析 方法 | ||
技術領域
本發明涉及集成電路工藝技術領域,尤其涉及一種互連延遲寄生參數的分析方法。
背景技術
在深亞微米集成電路制造過程中,其各個制造環節均不可避免地存在工藝波動,從而使得互連幾何參數的實際值與設計值或標稱值發生偏差,其后果輕則影響電路性能,重則甚至會影響電路功能。工藝波動是帶有隨機性的,它會直接造成集成電路物理結構的改變。隨著器件尺寸越來越小,寄生參數對于工藝波動的敏感性顯著增加。
隨著工藝技術的演進,集成電路設計進入深亞微米(deep-submicron)技術時代,當元件尺寸越做越小時,工藝波動對于電路性能的影響越來越顯著,造成良率降低。例如:當導線因工藝波動的影響而發生長度或寬度變化時,導線阻抗或者其他寄生效應相對產生變化,從而導致電路性能改變。這可能使得電路無法正常運作。因此可制造型導向設計(Design?for?Manufacturability,DFM)或者良率導向設計(Design?for?Yield,DFY),在近年來變成熱門的話題。其主要目的是在設計電路時,就將制造過程中可能發生的工藝波動現象考慮進來,利用元件參數的變化分析,事先評估對電路性能的影響,期望能設計出有更佳冗余度的電路,以提升良率,降低成本。
雖然經過設計人員的不懈努力,工藝已經日趨成熟穩定,?但是光波的衍射等問題仍然使得加工中存在較大的工藝偏差,直接影響到實際芯片的性能出現漂移。DFM/DFY?針對的是芯片的生產良率(?Manufacture?Yield)?,而芯片的在片波動問題,?則影響芯片的性能良率(?Performance?Yield)?,即生產出來能夠滿足最初設計指標的芯片占生產芯片總數的比率。在微米工藝加工環境下,芯片內(?甚至晶圓內)?基本不存在大的工藝波動,工藝波動只存在于各個加工批次之間。由于原材料(?單晶硅)?的性能等因素的不同會出現一些工藝偏差,這些偏差往往可以通過建立不同工作條件的模型、設計時事先就考慮如何保證各個工作條件下都滿足設計指標來控制。這也就是常用的Slow、Typical、Fast?三個常用庫的來源。但是對于納米級工藝,僅僅三個(?或有限幾個)?工藝庫已經無法涵蓋晶圓內、芯片內較大的工藝波動的影響了,需要建立專門針對于工藝波動的模型,建立針對工藝波動的分析方法,才能得到有效的解決。
目前的應對方法,對于物理設計,主要采用的DFM設計手段就是冗余通孔(?Multi-?Via)?、連線散布(?Wire?Spreading)、金屬填充(?Metal?Fill)?等。所謂冗余通孔就是盡可能采用多個通孔,從而避免一旦通孔的加工出現問題,導致整條線的電學特性出現較大偏差。連線散布是盡量把互連線之間的間距拉開,均勻分布,避免出現局部區域連線過密。金屬填充是為了在化學機械拋光(?CMP)?時保證芯片內各區域互連線的性能一致性,在金屬密度較低的區域加入一些浮空?(?或接地)?的金屬線,以滿足金屬密度的設計需求。
芯片的在片波動是所有這些設計難點中最難以把握的。目前業界主要是采用統計靜態時序分析?(?Statistical?Static?Timing?Analysis)?的方法克服工藝波動(?Process?Variation)?。即假定各個器件之間的工藝參數波動彼此獨立無關,且各個工藝參數的波動呈現正態分布(?或稱為高斯分布),由此建立各個標準單元器件的統計時序庫(?Statistical?Timing?Library),再提取互連線的統計性寄生參數(?Statistical?Parasitics),對整個設計進行統計時序分析,最終分析出各個時序路徑的性能良率(?在給定時鐘周期下,?能夠滿足此要求的比率)?。但就目前而言,統計時序分析仍處于開發的初期階段,各個方面尚不成熟,而且統計時序庫也需要芯片生產廠家的進一步確認和支持。
本發明旨在提出一種準確、消耗資源少、速度快的互連延遲寄生參數的分析方法。并且,本發明旨在分析不同工藝波動下寄生參數和電路性能產生的變化,提出優化工藝條件的方法,最終優化電路性能。
發明內容
本發明提出一種互連延遲寄生參數的分析方法,其特征在于,包括:
步驟一:辨認電路的關鍵路徑;
步驟二:提取關鍵路徑的寄生參數;
步驟三:分析工藝波動對寄生參數和電路性能的影響。
其中,進一步包括,步驟四:提出優化工藝條件的方法,優化電路性能。
其中,所述工藝波動指工藝制作流程時,由于工藝條件發生的漂移,導致工藝參數改變,從而造成的互連線的電學特性波動。
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