[發明專利]制造半導體器件的方法

有效

• 申請號: 201110359964.1
• 申請日: 2011-11-14
• 公開（公告）號: CN103107090A
• 公開（公告）日: 2013-05-15
• 發明（設計）人: 李鳳蓮;倪景華;韓秋華
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L21/28
• 代理公司: 北京市磐華律師事務所 11336
• 代理人: 董巍;顧珊

1.一種制造半導體器件的方法，包括：

a）提供半導體襯底，所述半導體襯底上形成有第一偽柵極、第一金屬柵極以及包圍所述第一偽柵極和所述第一金屬柵極的層間介電層；

b）去除所述第一偽柵極以形成第一填充開口；

c）執行N₂H₂氣體處理工藝；以及

d）在所述第一填充開口內形成第二金屬柵極。

2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述c）步驟中的所述N₂H₂氣體處理工藝中反應腔室的壓力為500-2000mTorr。

3.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述c）步驟中的所述N₂H₂氣體處理工藝中N₂H₂氣體的流速為1000-5000sccm。

4.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述c）步驟中的所述N₂H₂氣體處理工藝中的反應功率為2000-5000W。

5.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述b）步驟中去除所述第一偽柵極的方法為干法刻蝕。

6.如權利要求5所述的方法，其特征在于，所述N₂H₂氣體處理工藝是在所述干法刻蝕的腔室內進行的原位N₂H₂氣體處理工藝。

7.如權利要求1所述的方法，其特征在于，在所述c）步驟之后還包括清洗步驟，其中，清洗劑包括N-甲基吡咯烷酮。

8.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述a）步驟包括：

在所述半導體襯底上形成有第一偽柵極、第二偽柵極以及包圍所述第一偽柵極和所述第二偽柵極的層間介電層；

去除所述第二偽柵極，以形成第二填充開口；

在所述層間介電層和所述第一偽柵極上以及所述第二填充開口依次形成第一功函數層和第一金屬層；以及

去除所述第二填充開口外的所述第一功函數層和所述第一金屬層，以形成第一金屬柵極。

9.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述d）步驟包括：

在所述層間介電層和所述第一金屬柵極上以及所述第一填充開口內依次形成第二功函數層和第二金屬層；以及

去除所述第一填充開口外的所述第二功函數層和所述第二金屬層，以形成第二金屬柵極。

10.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一金屬柵極為N型金屬柵極和P型金屬柵極中的一個，且所述第二金屬柵極為N型金屬柵極和P型金屬柵極中的另一個。