[發(fā)明專利]LED芯片的制造方法及其結(jié)構(gòu)

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110359786.2
• 申請(qǐng)日: 2011-11-09
• 公開（公告）號(hào): CN103107247A
• 公開（公告）日: 2013-05-15
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 鄭為太;陳明鴻;潘敬仁
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 海立爾股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L33/00
• 分類號(hào): H01L33/00;H01L27/15
• 代理公司: 北京中原華和知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11019
• 代理人: 壽寧;張華輝

1.一種LED芯片的制造方法，其特征在于其包括以下步驟：

提供一導(dǎo)電塊材，該導(dǎo)電塊材包含：一導(dǎo)電基材，其具有一第一區(qū)域及一第二區(qū)域；一第一絕緣層形成于該第一區(qū)域上；及一第一金屬層形成于該第二區(qū)域及該第一絕緣層上；

提供一磊晶塊材，該磊晶塊材包含：一磊晶層基材；一磊晶層形成于該磊晶層基材上；及一第二金屬層形成于該磊晶層相對(duì)于該磊晶層基材的另外一側(cè)的一半導(dǎo)體側(cè)；

進(jìn)行結(jié)合，是借由結(jié)合該第一金屬層及該第二金屬層將該導(dǎo)電塊材與該磊晶塊材結(jié)合成一體以成為一結(jié)合塊材；

移除該磊晶層基材，是將該磊晶層基材自該結(jié)合塊材移除以形成一發(fā)光二極管塊材；

制作獨(dú)立發(fā)光二極管，是將該發(fā)光二極管塊材進(jìn)行蝕刻，使該第一區(qū)域上形成至少一第一發(fā)光二極管，使該第二區(qū)域上形成至少一第二發(fā)光二極管及至少一第三發(fā)光二極管；

形成一第二絕緣層，其是在該第一發(fā)光二極管、該第二發(fā)光二極管及該第三發(fā)光二極管間形成該第二絕緣層；以及

進(jìn)行電性連接，其是在該第二絕緣層上，借由形成一第一導(dǎo)電層使每一該第一發(fā)光二極管及每一該第二發(fā)光二極管彼此相互串聯(lián)，借由形成一第二導(dǎo)電層使每一該第二發(fā)光二極管及每一該第三發(fā)光二極管彼此相互并聯(lián)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED芯片的制造方法，其特征在于其中所述的導(dǎo)電基材為一半導(dǎo)體晶圓基材。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的LED芯片的制造方法，其特征在于其中所述的半導(dǎo)體晶圓基材為IV-IV族、III-IV族、II-VI族、硅、鍺、氮化鎵或砷化鎵的半導(dǎo)體導(dǎo)電基材。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED芯片的制造方法，其特征在于其中所述的導(dǎo)電基材為銅鎢、鉬、銅、鎢或錳材質(zhì)的導(dǎo)電基材。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED芯片的制造方法，其特征在于其中所述的導(dǎo)電基材包括：一非導(dǎo)電基材；及多個(gè)第一導(dǎo)電柱穿透該非導(dǎo)電基材且使該些第一導(dǎo)電柱與該第一金屬層電性連接。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED芯片的制造方法，其特征在于其中所述的半導(dǎo)體側(cè)與該第二金屬層間形成有一反射層，該反射層內(nèi)形成有多個(gè)第二導(dǎo)電柱以電性連接該半導(dǎo)體側(cè)與該第二金屬層。

7.一種LED芯片結(jié)構(gòu)，其特征在于其包括：

一導(dǎo)電塊材，該導(dǎo)電塊材包含：一導(dǎo)電基材，其具有一第一區(qū)域及一第二區(qū)域；一第一絕緣層形成于該第一區(qū)域上；及多個(gè)第一金屬層彼此獨(dú)立結(jié)合于該第二區(qū)域及該第一絕緣層上；

至少一第一發(fā)光二極管，借由多個(gè)第二金屬層之一與一該第一金屬層結(jié)合后固設(shè)于該第一絕緣層上；

至少一第二發(fā)光二極管，借由一該第二金屬層與一該第一金屬層結(jié)合后固設(shè)于該第二區(qū)域上且該第二發(fā)光二極管與該第一發(fā)光二極管借由多個(gè)第二絕緣層之一及一第一導(dǎo)電層相互串聯(lián)；以及

至少一第三發(fā)光二極管，借由一該第二金屬層與一該第一金屬層結(jié)合后固設(shè)于該第二區(qū)域上且借由該些第二絕緣層之一及一第二導(dǎo)電層與該第二發(fā)光二極管相互并聯(lián)。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的LED芯片結(jié)構(gòu)，其特征在于其中所述的導(dǎo)電基材為一半導(dǎo)體晶圓基材。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的LED芯片結(jié)構(gòu)，其特征在于其中所述的半導(dǎo)體晶圓基材為IV-IV族、III-IV族、II-VI族、硅、鍺、氮化鎵或砷化鎵的半導(dǎo)體導(dǎo)電基材。

10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的LED芯片結(jié)構(gòu)，其特征在于其中所述的導(dǎo)電基材為銅鎢、鉬、銅、鎢或錳材質(zhì)的導(dǎo)電基材。

11.根據(jù)權(quán)利要求7所述的LED芯片結(jié)構(gòu)，其特征在于其中所述的導(dǎo)電基材包括：一非導(dǎo)電基材；及多個(gè)第一導(dǎo)電柱穿透該非導(dǎo)電基材且與該第二區(qū)域上的該第一金屬層電性連接。

12.根據(jù)權(quán)利要求7所述的LED芯片結(jié)構(gòu)，其特征在于其中每一該第一發(fā)光二極管、每一該第二發(fā)光二極管及每一該第三發(fā)光二極管分別與其對(duì)應(yīng)的該第二金屬層間設(shè)有一反射層，并且該第二區(qū)域上的該反射層內(nèi)設(shè)置有多個(gè)第二導(dǎo)電柱使該第二發(fā)光二極管及該第三發(fā)光二極管分別與其對(duì)應(yīng)的該第二金屬層電性連接。