[發明專利]具有吸光金屬納米顆粒層的顯示器件

有效

• 申請號: 201110359699.7
• 申請日: 2006-05-19
• 公開（公告）號: CN102394274A
• 公開（公告）日: 2012-03-28
• 發明（設計）人: H·阿茲茲;波波維克;安東尼·J·佩因
• 申請（專利權）人: 樂金顯示有限公司
• 主分類號: H01L51/52
• 分類號: H01L51/52
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國;鐘強

1.一種顯示器件，包括：

陰極；

陽極；

設置在所述陰極和所述陽極之間的發光區域；以及

光吸收層，含有：i)金屬納米顆粒；以及ii)無機基材，其中在所述光吸收層中金屬納米顆粒總體的平均顆粒大小從約2nm至約20nm，并且所述金屬納米顆粒具有的不超過+/-75％的顆粒大小分布；

其中所述金屬納米顆粒完全嵌入在、或部分嵌入在所述基材中；以及

其中所述陰極含有所述光吸收層。

2.根據權利要求1所述的顯示器件，其特征在于，所述金屬納米顆粒具有不超過±50％的顆粒大小分布。

3.根據權利要求1所述的顯示器件，其特征在于，所述金屬納米顆粒具有不超過±25％的顆粒大小分布。

4.根據權利要求1所述的顯示器件，其特征在于，所述光吸收層中金屬納米顆粒總體的平均顆粒大小從約5nm至約15nm。

5.根據權利要求1所述的顯示器件，其特征在于，所述光吸收層中金屬納米顆粒總體的平均顆粒大小為約10nm。

6.根據權利要求1所述的顯示器件，其特征在于，所述金屬納米顆粒具有選自矩形、非矩形、二維結構、三維結構及其組合的形狀。

7.根據權利要求1所述的顯示器件，其特征在于，所述金屬納米顆粒具有選自球形、扁球形、扁長球體、橢圓體、棒、柱、錐形、盤狀、立方以及矩形。

8.根據權利要求1所述的顯示器件，其特征在于，所述基材選自由ZnTe和ZnSe構成的組中。

9.根據權利要求1所述的顯示器件，其特征在于，所述光吸收層位于所述陽極和所述陰極之外。

10.根據權利要求1所述的顯示器件，其特征在于，所述光吸收層位于所述發光區域內。

11.根據權利要求1所述的顯示器件，其特征在于，所述光吸收層位于所述陽極內。

12.根據權利要求1所述的顯示器件，其特征在于，所述金屬納米顆粒選自Ag、Au、Cu、Se、Te、As、Zn、Sn、Ga、Co、Pt、Pd、Ni、In、Ti、它們的合金，以及金屬和它們的合金的組合。

13.一種顯示器件，包括：

任意基板；

第一電極；

第二電極；

發光區域，設置在所述第一和第二電極之間；以及

光吸收層，含有：

金屬納米顆粒；以及

無機基材；

其中，所述金屬納米顆粒的平均顆粒大小從約2nm至約20nm，并且具有不超過±75％的顆粒大小分布；

其中所述金屬納米顆粒完全嵌入在、或部分嵌入在所述基材中；以及

其中所述光吸收層位于所述第一電極或第二電極之一內。

14.根據權利要求13所述的顯示器件，其特征在于，所述金屬納米顆粒的平均顆粒大小為從約5nm至約15nm。

15.根據權利要求13所述的顯示器件，其特征在于，所述金屬納米顆粒具有不超過±50％的顆粒大小分布。

16.根據權利要求13所述的顯示器件，其特征在于，所述金屬納米顆粒的平均顆粒大小為約10nm。

17.根據權利要求13所述的顯示器件，其特征在于，所述金屬納米顆粒具有不超過±25％的顆粒大小分布。

18.根據權利要求13所述的顯示器件，其特征在于，所述無機材料含有選自由選自I、II、III族金屬的金屬以及選自IIIA、IVA、以及VA族的元素種類、過渡金屬以及它們的組合所組成的組的組分。

19.根據權利要求13所述的顯示器件，其特征在于，所述光吸收層具有從約10nm至約100nm的厚度。

20.根據權利要求13所述的顯示器件，其特征在于，所述光吸收層含有多層。

21.根據權利要求20所述的顯示器件，其特征在于，所述光吸收層具有從約10nm至約100nm的厚度。

22.根據權利要求13所述的顯示器件，其特征在于，所述第一電極是陰極，所述陰極含有所述光吸收層。