[發(fā)明專利]修補(bǔ)氧化物半導(dǎo)體層的缺陷的方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110359413.5
• 申請(qǐng)日: 2011-11-14
• 公開（公告）號(hào): CN102354657A
• 公開（公告）日: 2012-02-15
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 高逸群;杜振源;林俊男;吳淑芬
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 友達(dá)光電股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/02
• 分類號(hào): H01L21/02;H01L21/477
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 封新琴

1.一種修補(bǔ)氧化物半導(dǎo)體層的缺陷的方法，包括：

提供基板，并于該基板上形成一氧化物半導(dǎo)體層；

將該基板載入反應(yīng)室內(nèi)，并于該反應(yīng)室內(nèi)通入至少一種有機(jī)氣體，以使該反應(yīng)室內(nèi)形成有機(jī)氣體環(huán)境；以及

在該有機(jī)氣體環(huán)境下對(duì)該氧化物半導(dǎo)體層進(jìn)行退火制程，以修補(bǔ)該氧化物半導(dǎo)體層的缺陷。

2.如權(quán)利要求1所述的修補(bǔ)氧化物半導(dǎo)體層的缺陷的方法，其中該退火制程的制程溫度大體上為200℃至400℃。

3.如權(quán)利要求1所述的修補(bǔ)氧化物半導(dǎo)體層的缺陷的方法，其中該退火制程在常壓下進(jìn)行。

4.如權(quán)利要求1所述的修補(bǔ)氧化物半導(dǎo)體層的缺陷的方法，其中該退火制程的制程時(shí)間大體上為1小時(shí)至2小時(shí)。

5.如權(quán)利要求1所述的修補(bǔ)氧化物半導(dǎo)體層的缺陷的方法，其中該有機(jī)氣體包括丙二醇甲醚的蒸汽、丙二醇甲醚醋酸酯的蒸汽或N-甲基吡咯烷酮的蒸汽。

6.如權(quán)利要求1所述的修補(bǔ)氧化物半導(dǎo)體層的缺陷的方法，還包括利用載氣將該有機(jī)氣體通入該反應(yīng)室內(nèi)以形成該有機(jī)氣體環(huán)境。

7.如權(quán)利要求1所述的修補(bǔ)氧化物半導(dǎo)體層的缺陷的方法，還包括直接于該反應(yīng)室內(nèi)通入該有機(jī)氣體而形成該有機(jī)氣體環(huán)境。

8.如權(quán)利要求1所述的修補(bǔ)氧化物半導(dǎo)體層的缺陷的方法，其中該氧化物半導(dǎo)體層包括銦鎵鋅氧化物(IGZO)半導(dǎo)體層。