[發(fā)明專利]有機(jī)發(fā)光裝置和用于有機(jī)發(fā)光裝置的陰極有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201110359350.3 | 申請(qǐng)日: | 2011-11-09 |
| 公開(公告)號(hào): | CN102468448A | 公開(公告)日: | 2012-05-23 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 尹錫奎;黃圭煥;河載興;宋英宇;李鐘赫;金圣哲 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 三星移動(dòng)顯示器株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào): | H01L51/52 | 分類號(hào): | H01L51/52;H01L51/50 |
| 代理公司: | 北京銘碩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11286 | 代理人: | 韓明星;劉燦強(qiáng) |
| 地址: | 韓國(guó)京畿*** | 國(guó)省代碼: | 韓國(guó);KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 有機(jī) 發(fā)光 裝置 用于 陰極 | ||
1.一種有機(jī)發(fā)光裝置,所述有機(jī)發(fā)光裝置包括:
陽(yáng)極;
陰極;
發(fā)射層,在陽(yáng)極和陰極之間,
其中,陰極包括第一層和第二層,第一層中共沉積有LiF或Liq以及從由Yb、Ca、Sm、Eu、Tb、Sr、Ba、La和Ce組成的組中選擇的金屬,第二層中共沉積有Ag或Al以及從由Yb、Ca、Sm、Eu、Tb、Sr、Ba、La和Ce組成的組中選擇的金屬。
2.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光裝置,其中,LiF或Liq與從由Yb、Ca、Sm、Eu、Tb、Sr、Ba、La和Ce組成的組中選擇的金屬的組成比為2∶8至8∶2。
3.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光裝置,其中,第一層的厚度為至
4.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光裝置,其中,基于第二層的總重量,第二層中的從由Yb、Ca、Sm、Eu、Tb、Sr、Ba、La和Ce組成的組中選擇的金屬為1%至50%。
5.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光裝置,其中,第二層的厚度為至
6.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光裝置,其中,在陰極的第一層中共沉積LiF與從由Yb、Ca、Sm、Eu、Tb、Sr、Ba、La和Ce組成的組中選擇的金屬,在陰極的第二層中共沉積Ag與從由Yb、Ca、Sm、Eu、Tb、Sr、Ba、La和Ce組成的組中選擇的金屬。
7.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光裝置,其中,在陰極的第一層中共沉積LiF與從由Yb、Ca、Sm、Eu、Tb、Sr、Ba、La和Ce組成的組中選擇的金屬,在陰極的第二層中共沉積Ag與從由Yb、Ca、Sm、Eu、Tb、Sr、Ba、La和Ce組成的組中選擇的金屬,
其中,第一層的厚度為至第二層的厚度為至
8.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光裝置,其中,陰極包括:
第一層,其中共沉積有LiF或Liq與Yb;
第二層,其中共沉積有Ag或Al與Yb,
其中,第一層的厚度為至第二層的厚度為至
9.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光裝置,其中,陰極包括:
第一層,其中共沉積有LiF與從由Yb、Ca、Sm、Eu、Tb、Sr、Ba、La和Ce組成的組中選擇的金屬;
第二層,其中共沉積有Ag與從由Yb、Ca、Sm、Eu、Tb、Sr、Ba、La和Ce組成的組中選擇的金屬,
其中,第一層中的LiF與從由Yb、Ca、Sm、Eu、Tb、Sr、Ba、La和Ce組成的組中選擇的金屬的組成比為3∶7至7∶3,
基于第二層的總重量,第二層中的從由Yb、Ca、Sm、Eu、Tb、Sr、Ba、La和Ce組成的組中選擇的金屬為5%至15%。
10.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光裝置,其中,陰極包括:
第一層,其中共沉積有LiF或Liq與Yb;
第二層,其中共沉積有Ag或Al與Yb,
其中,第一層中的LiF或Liq與Yb的組成比為3∶7至7∶3,
基于第二層的總重量,第二層中的Yb為5%至15%。
11.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光裝置,其中,陰極包括:
第一層,其中共沉積有LiF和Yb;
第二層,其中共沉積有Ag和Yb,
其中,第一層中的LiF與Yb的組成比為3∶7至7∶3,
基于第二層的總重量,第二層中的Yb為5%至15%。
12.一種用于有機(jī)發(fā)光裝置的陰極,所述陰極包括:
第一層,在第一層中共沉積有LiF或Liq以及從由Yb、Ca、Sm、Eu、Tb、Sr、Ba、La和Ce組成的組中選擇的金屬;
第二層,在第二層中共沉積有Ag或Al以及從由Yb、Ca、Sm、Eu、Tb、Sr、Ba、La和Ce組成的組中選擇的金屬。
13.如權(quán)利要求12所述的陰極,其中,LiF或Liq與從由Yb、Ca、Sm、Eu、Tb、Sr、Ba、La和Ce組成的組中選擇的金屬的組成比為2∶8至8∶2。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機(jī)材料作有源部分或使用有機(jī)材料與其他材料的組合作有源部分的固態(tài)器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設(shè)備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的;具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應(yīng)紅外線輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉(zhuǎn)換為電能,或者適用于通過(guò)這樣的輻射進(jìn)行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發(fā)射的,如有機(jī)發(fā)光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇
- 應(yīng)用有機(jī)材料制作有機(jī)發(fā)光裝置
- 有機(jī)發(fā)光材料及有機(jī)發(fā)光裝置
- 有機(jī)半導(dǎo)體組合物以及有機(jī)薄膜和具有該有機(jī)薄膜的有機(jī)薄膜元件
- 有機(jī)材料和包括該有機(jī)材料的有機(jī)發(fā)光裝置
- 有機(jī)發(fā)光元件、有機(jī)發(fā)光裝置、有機(jī)顯示面板、有機(jī)顯示裝置以及有機(jī)發(fā)光元件的制造方法
- 有序的有機(jī)-有機(jī)多層生長(zhǎng)
- 有機(jī)半導(dǎo)體材料和有機(jī)部件
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