[發(fā)明專利]SiC半導(dǎo)體晶片的標(biāo)刻方法以及SiC半導(dǎo)體晶片

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110359111.8
• 申請日: 2011-11-14
• 公開（公告）號: CN102653035A
• 公開（公告）日: 2012-09-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 土屋范晃
• 申請（專利權(quán)）人: 三菱電機(jī)株式會社
• 主分類號: B23K26/36
• 分類號: B23K26/36;H01L23/544
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 毛立群;王忠忠

1.一種SiC半導(dǎo)體晶片的標(biāo)刻方法，其特征在于，具備：

準(zhǔn)備SiC半導(dǎo)體晶片（100）的工序；以及

標(biāo)刻工序，通過一邊從激光頭向所述SiC半導(dǎo)體晶片照射激光，一邊使所述激光頭相對于所述SiC半導(dǎo)體晶片移動(dòng)，從而在所述SiC半導(dǎo)體晶片的表面刻印由所述激光的照射痕（1）構(gòu)成的規(guī)定圖案，

所述激光是使用了YAG激光的4次諧波的脈沖激光，

在所述標(biāo)刻工序中，所述激光頭以所述脈沖激光的連續(xù)的脈沖的照射痕（1）不重疊的速度、并且在不對先形成的所述照射痕（1）重疊地照射所述脈沖激光的軌道中移動(dòng)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的SiC半導(dǎo)體晶片的標(biāo)刻方法，其中，

所述規(guī)定圖案是互相不重疊的點(diǎn)（10）的集合體，

所述標(biāo)刻工序包含：

第1標(biāo)刻工序，通過互相不重疊的多個(gè)所述照射痕（1）來描繪1個(gè)點(diǎn)（10）；以及

第2標(biāo)刻工序，通過反復(fù)進(jìn)行所述第1標(biāo)刻工序，從而描繪由多個(gè)點(diǎn)（10）構(gòu)成的所述規(guī)定圖案。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或權(quán)利要求2所述的SiC半導(dǎo)體晶片的標(biāo)刻方法，其中，還包含：通過調(diào)整所述激光頭的移動(dòng)速度以及所述脈沖激光的調(diào)Q頻率的至少一方，從而設(shè)定連續(xù)形成的所述照射痕（1）的中心間的距離（d2）的工序。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的SiC半導(dǎo)體晶片的標(biāo)刻方法，其中，連續(xù)形成的所述照射痕（1）的中心間的距離（d2）以成為該照射痕（1）的直徑（d1）的2倍以上的方式設(shè)定。

5.根據(jù)權(quán)利要求1或權(quán)利要求2所述的SiC半導(dǎo)體晶片的標(biāo)刻方法，其中，所述脈沖激光的每1個(gè)脈沖的能量為5~10μJ。

6.根據(jù)權(quán)利要求1或權(quán)利要求2所述的SiC半導(dǎo)體晶片的標(biāo)刻方法，其中，所述照射痕（1）的深度為0.1~0.7μm。

7.一種SiC半導(dǎo)體晶片（100），在表面刻印有由激光的照射痕（1）構(gòu)成的規(guī)定圖案，其特征在于，

所述規(guī)定圖案通過互相不重疊的深度0.1~0.7μm的所述照射痕（1）的集合體構(gòu)成。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的SiC半導(dǎo)體晶片，其中，

所述規(guī)定圖案是互相不重疊的點(diǎn)（10）的集合體，

所述點(diǎn)（10）分別是所述照射痕（1）的集合體。

9.根據(jù)權(quán)利要求7或權(quán)利要求8所述的SiC半導(dǎo)體晶片，其中，

鄰接的所述照射痕（1）的中心間的距離（d2）為該照射痕（1）的直徑（d1）的2倍以上。