[發明專利]半導體裝置及其試驗方法

有效

• 申請號: 201110359048.8
• 申請日: 2011-11-14
• 公開（公告）號: CN102646721A
• 公開（公告）日: 2012-08-22
• 發明（設計）人: 楢崎敦司
• 申請（專利權）人: 三菱電機株式會社
• 主分類號: H01L29/84
• 分類號: H01L29/84;H01L21/66
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 毛立群;王忠忠

1.一種半導體裝置，其中，具備：

半導體芯片，具有控制電極；以及

應力檢測用元件，設置在所述半導體芯片的表面，檢測對該表面施加的應力，

基于以所述應力檢測用元件檢測出的應力，控制對所述控制電極施加的控制信號。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，

設置有檢測對俯視中所述半導體芯片的中央部施加的應力的所述應力檢測用元件來作為第1應力檢測用元件，設置有檢測對俯視中所述半導體芯片的外周部施加的應力的所述應力檢測用元件來作為第2應力檢測用元件，

在以所述第1應力檢測用元件檢測出的應力、和以所述第2應力檢測用元件檢測出的應力的差分超過了規定的閾值的情況下，控制所述控制信號。

3.根據權利要求2所述的半導體裝置，其中，

所述半導體芯片具有俯視中的矩形形狀，

所述第2應力檢測用元件設置在所述半導體芯片的角部。

4.根據權利要求1至權利要求3的任一項所述的半導體裝置，其中，

所述應力檢測用元件在進行所述半導體芯片的通電的前后分別檢測所述應力，

在所述通電前后分別以所述應力檢測用元件檢測出的應力彼此的差分超過了規定的閾值的情況下，控制所述控制信號。

5.根據權利要求1至權利要求3的任一項所述的半導體裝置，其中，

所述應力檢測用元件包含：壓電電阻元件，根據對所述半導體芯片的表面施加的應力而使電阻變化。

6.根據權利要求5所述的半導體裝置，其中，

所述壓電電阻元件具有被注入了N型雜質的擴散層。

7.根據權利要求5所述的半導體裝置，其中，

所述壓電電阻元件具有被注入了P型雜質的多晶硅層。

8.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，

所述半導體芯片包含：中央部控制電極，分管俯視中所述半導體芯片的中央部；以及外周部控制電極，分管俯視中該中央部半導體芯片的外周部，

設置與所述中央部控制電極對應的所述應力檢測用元件來作為第1應力檢測用元件，

設置與所述外周部控制電極對應的所述應力檢測用元件來作為第2應力檢測用元件。

9.根據權利要求1至權利要求3的任一項所述的半導體裝置，其中，還具備：

金屬制的基板，經由焊料與所述半導體芯片的背面接合；以及

樹脂模，在與所述基板之間內包所述半導體芯片。

10.根據權利要求1至權利要求3的任一項所述的半導體裝置，其中，

所述半導體芯片包含IGBT或功率MOSFET。

11.根據權利要求1至權利要求3的任一項所述的半導體裝置，其中，

所述半導體芯片包含二極管。

12.一種半導體裝置的試驗方法，所述半導體裝置具備：半導體芯片，具有控制電極；以及應力檢測用元件，設置在所述半導體芯片的表面，檢測對該表面施加的應力，

基于用所述應力檢測用元件檢測出的應力，控制對所述控制電極施加的控制信號，

設置有檢測對俯視中所述半導體芯片的中央部施加的應力的所述應力檢測用元件來作為第1應力檢測用元件，設置有檢測對俯視中所述半導體芯片的外周部施加的應力的所述應力檢測用元件來作為第2應力檢測用元件，

在以所述第1應力檢測用元件檢測的應力、和以所述第2應力檢測用元件檢測的應力的差分超過了規定的閾值的情況下，控制所述控制信號，其中，所述試驗方法具備：

（a）準備形成有所述半導體芯片的晶片的工序，

所述第2應力檢測用元件形成在所述晶片的切割線的表面，

所述試驗方法還具備：

（b）在所述工序（a）后，對半導體芯片進行試驗的工序；以及

（c）在所述工序（b）后，在所述切割線處對所述晶片進行切割的工序。