[發明專利]非易失性存儲器件的電容器

無效

• 申請號: 201110358957.X
• 申請日: 2011-11-14
• 公開（公告）號: CN102569425A
• 公開（公告）日: 2012-07-11
• 發明（設計）人: 柳濟一
• 申請（專利權）人: 海力士半導體有限公司
• 主分類號: H01L29/92
• 分類號: H01L29/92;H01L29/94
• 代理公司: 北京弘權知識產權代理事務所(普通合伙) 11363
• 代理人: 郭放;許偉群

1.一種非易失性存儲器件的電容器，包括：

第一電極和第二電極，所述第一電極和所述第二電極被形成在半導體襯底的電容器區中，并分別具有并排形成的連續凹凸狀的側表面；和

電介質層，所述電介質層被形成在所述第一電極與所述第二電極之間。

2.如權利要求1所述的電容器，其中，所述第一電極的凹部和凸部被形成為分別面對所述第二電極的凸部和凹部。

3.如權利要求1所述的電容器，其中，

所述第二電極的凸部被形成在所述第一電極的凹部內，并且

所述第一電極的凸部被形成在所述第二電極的凹部內。

4.如權利要求1所述的電容器，還包括：

層間電介質層，所述層間電介質層被形成在所述第一電極和所述第二電極之上；以及

第三電極和第四電極，所述第三電極和所述第四電極被形成在所述層間電介質層之上，并分別具有并排形成的凹凸狀的側表面。

5.如權利要求4所述的電容器，其中，

所述第三電極被形成在所述第二電極之上，并且

所述第四電極被形成在所述第一電極之上。

6.如權利要求4所述的電容器，還包括：

第一電極線，所述第一電極線將所述第三電極與所述第一電極耦接；和

第二電極線，所述第二電極線將所述第四電極與所述第二電極耦接。

7.如權利要求1所述的電容器，還包括絕緣層，所述絕緣層被形成在所述第一電極與所述半導體襯底之間的界面以及所述第二電極與所述半導體襯底之間的界面處。

8.如權利要求7所述的電容器，還包括將所述半導體襯底與所述第二電極耦接的電極線。

9.如權利要求1所述的電容器，其中，所述第一電極和所述第二電極由供浮柵用的導電層形成。

10.如權利要求4所述的電容器，其中，所述第三電極和所述第四電極由供控制柵用的導電層形成。

11.一種非易失性存儲器件的電容器，包括：

第一下電極和第二下電極，所述第一下電極和所述第二下電極被形成在半導體襯底的電容器區中，并且所述第一下電極和所述第二下電極每個都具有耙狀結構，其中，每個耙狀結構的指與另一個耙狀結構的指交替；

第一電介質層，所述第一電介質層被形成在所述第一下電極與所述第二下電極之間以及所述第一下電極和所述第二下電極之上；

第一上電極和第二上電極，所述第一上電極和所述第二上電極被形成在所述第一電介質層上，并且所述第一上電極和所述第二上電極每個都具有耙狀結構，其中，每個耙狀結構的指與另一個耙狀結構的指交替，以便所述第一上電極和所述第二上電極具有交叉的指結構；以及

第二電介質層，所述第二電介質層被形成在所述第一上電極與所述第二上電極之間。

12.如權利要求11所述的電容器，其中，所述第一下電極側的凹部和凸部被形成為分別面對所述第二下電極側的凸部和凹部。

13.如權利要求11所述的電容器，其中，

所述第二下電極側的凸部被形成在所述第一下電極側的凹部內；并且

所述第一下電極側的凸部被形成在所述第二下電極側的凹部內。

14.如權利要求11所述的電容器，其中：

所述第一上電極被形成在所述第二下電極之上，并且

所述第二上電極被形成在所述第一下電極之上。

15.如權利要求11所述的電容器，還包括：

第一電極線，所述第一電極線將所述第一上電極與所述第一下電極耦接；和

第二電極線，所述第二電極線將所述第二上電極與所述第二下電極耦接。

16.如權利要求11所述的電容器，還包括絕緣層，所述絕緣層被形成在所述第一下電極和第二下電極與所述半導體襯底之間的界面處。

17.如權利要求16所述的電容器，還包括將所述半導體襯底與所述第二下電極耦接的電極線。

18.如權利要求11所述的電容器，其中，所述第一下電極和所述第二下電極由供浮柵用的導電層形成。

19.如權利要求11所述的電容器，其中，所述第一上電極和所述第二上電極由供控制柵用的導電層形成。