[發明專利]微凸點互聯結構的圖像傳感器封裝結構及實現方法

有效

• 申請號: 201110358735.8
• 申請日: 2011-11-14
• 公開（公告）號: CN102420211A
• 公開（公告）日: 2012-04-18
• 發明（設計）人: 張黎;賴志明;陳棟;陳錦輝
• 申請（專利權）人: 江陰長電先進封裝有限公司
• 主分類號: H01L23/522
• 分類號: H01L23/522;H01L21/768
• 代理公司: 江陰市同盛專利事務所 32210
• 代理人: 唐紉蘭

1.一種微凸點互聯結構的圖像傳感器封裝結構，所述結構包括已經設置有芯片內部鈍化層（2）、芯片內部金屬層（3）及感光區（4）的芯片本體（1），其特征在于：在芯片本體（1）的上表面設置有隔離層（6），隔離層（6）覆蓋或不覆蓋感光區；在隔離層（6）上設置透光蓋板（5），在隔離層不覆蓋感光區時，透光蓋板（5）、隔離層（6）及芯片本體（1）之間形成空腔（12）；在芯片本體（1）上形成硅溝槽（13），且硅溝槽（13）底部直接停止于芯片內部鈍化層（2）的下表面，使芯片內部鈍化層（2）下表面裸露出來；在芯片內部鈍化層（2）上形成開口（2-1），在開口（2-1）內以及芯片內部鈍化層（2）下表面形成金屬微凸點（7），在芯片本體（1）下表面、硅溝槽內、裸露出的芯片內部鈍化層（2）的下表面以及金屬微凸點（7）的表面選擇性的設置絕緣層（8），并在所述金屬微凸點（7）下方的絕緣層（8）上設置開口，形成盲孔（8-1），金屬線路層（9）填充于所述盲孔（8-1）內，形成填充金屬（9-1）及金屬線路層與絕緣層重疊部分金屬（9-2），以及金屬線路層（9）選擇性的形成于絕緣層（8）表面，使金屬線路層（9）與金屬微凸點（7）形成互連結構，金屬線路層（9）本身也沿著硅溝槽側壁延展至芯片本體（1）背面，在絕緣層（8）及金屬線路層（9）上選擇性的設置線路保護層（10），同時在金屬線路層（9）露出線路保護層（10）的地方設置焊球（11）。

2.一種如權利要求1所述的微凸點互聯結構的圖像傳感器封裝結構的實現方法，其特征在于所述方法包括以下工藝步驟：

1）通過涂覆、曝光、顯影、固化或者單純涂覆工藝在透光蓋板表面形成隔離層；

2）通過健合的方法，使隔離層與芯片本體結合起來；

3）通過晶圓片磨片及應力層去除的方法得到芯片本體的目標厚度；

4）通過光刻結合硅刻蝕的方法形成硅溝槽；

5）通過涂覆、光刻、鈍化層刻蝕的方法打開芯片內部鈍化層，在芯片內部鈍化層上形成開口；

6）利用濺射、光刻或電鍍形成微凸點金屬；

7）利用噴膠工藝，在芯片本體下表面、溝槽內、裸露出的芯片內部鈍化層的下表面以及金屬微凸點的表面選擇性的設置絕緣層；

8）利用激光打孔方式在所述金屬微凸點下方的絕緣層上設置開口，形成盲孔；

9）通過濺射、光刻、電鍍或化學鍍的方法填充盲孔和形成金屬線路層；

10）通過光刻的方法形成線路保護層；

11）通過放置焊球或印刷焊料，然后回流的方法形成焊球。