[發明專利]成膜裝置、成膜基板制造方法及成膜基板

無效

• 申請號: 201110358373.2
• 申請日: 2011-11-11
• 公開（公告）號: CN102485949A
• 公開（公告）日: 2012-06-06
• 發明（設計）人: 巖田寬
• 申請（專利權）人: 住友重機械工業株式會社
• 主分類號: C23C14/34
• 分類號: C23C14/34;C23C14/14;H01L31/04
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 周欣;陳建全

1.一種成膜裝置，其是在基板上成膜鉬層的成膜裝置，其特征在于，具備：

成膜室，設置用于成膜所述鉬層的成膜材料，且在所述基板上成膜所述鉬層；及

壓力梯度形成構件，將惰性氣體導入至所述成膜室內，并可形成使所述成膜室內的惰性氣體的壓力從第1壓力狀態降低至低于該第1壓力狀態的第2壓力狀態的壓力梯度，

所述成膜室在所述惰性氣體的壓力沿所述壓力梯度下降的氣氛中，在所述第1壓力狀態下進行成膜之后，在所述第2壓力狀態下進行成膜。

2.如權利要求1所述的成膜裝置，其特征在于，進一步具備：

基板輸送構件，輸送所述成膜室內的所述基板，

所述壓力梯度形成構件形成將基板輸送方向的上游側設為所述第1壓力狀態且將基板輸送方向的下游側設為所述第2壓力狀態的所述壓力梯度。

3.如權利要求2所述的成膜裝置，其特征在于，

在所述基板輸送方向上配置有多個所述成膜材料，

將惰性氣體導入至所述成膜室內的氣體導入口設置于比所述基板輸送方向上的中央的所述成膜材料更靠上游側。

4.如權利要求2所述的成膜裝置，其特征在于，

將惰性氣體導入至所述成膜室內的氣體導入口設置于比所述成膜材料更靠上游側。

5.如權利要求3或4所述的成膜裝置，其特征在于，

將所述氣體導入口設為第1氣體導入口，且在比該第1氣體導入口更靠下游側設有將氣體量少于通過所述第1氣體導入口導入的氣體量的惰性氣體導入至所述成膜室內的第2氣體導入口。

6.如權利要求2至5中任一項所述的成膜裝置，其特征在于，

向室外排出所述成膜室內的氣體的排氣口在所述基板輸送方向上設置于所述氣體導入口的下游側。

7.如權利要求1所述的成膜裝置，其特征在于，

所述壓力梯度形成構件通過根據時間經過降低所述成膜室內的惰性氣體的壓力來形成所述壓力梯度。

8.如權利要求7所述的成膜裝置，其特征在于，

所述壓力梯度形成構件使惰性氣體的壓力從成膜開始之后逐漸下降。

9.成膜基板制造方法，其是在基板上成膜有鉬層的成膜基板的制造方法，其特征在于，具備：

成膜工序，在設置有用于成膜所述鉬層的成膜材料的成膜室內，在所述基板上成膜所述鉬層；及

壓力梯度形成工序，將惰性氣體導入至所述成膜室內，并可形成使所述成膜室內的惰性氣體的壓力從第1壓力狀態降低至低于該第1壓力狀態的第2壓力狀態的壓力梯度，

所述成膜工序在所述惰性氣體的壓力沿所述壓力梯度下降的氣氛中，在所述第1壓力狀態下進行成膜之后，在所述第2壓力狀態下進行成膜。

10.如權利要求9所述的成膜基板制造方法，其特征在于，進一步具備：

基板輸送工序，輸送所述成膜室內的所述基板，

所述壓力梯度形成工序形成將基板輸送方向的上游側設為所述第1壓力狀態且將基板輸送方向的下游側設為所述第2壓力狀態的所述壓力梯度。

11.如權利要求10所述的成膜基板制造方法，其特征在于，

所述成膜室中，在所述基板輸送方向上配置有多個成膜材料，

所述壓力梯度形成工序中，將惰性氣體導入至比所述基板輸送方向上的中央的所述成膜材料更靠上游側。

12.如權利要求11所述的成膜基板制造方法，其特征在于，

所述壓力梯度形成工序中，將惰性氣體導入至在所述成膜室內比成膜材料更靠基板輸送方向的上游側。

13.如權利要求11或12所述的成膜基板制造方法，其特征在于，

所述壓力梯度形成工序中，在所述基板輸送方向上在多個不同位置導入惰性氣體，并在下游側的導入位置導入氣體量少于上游側的導入位置的惰性氣體。

14.如權利要求10至13中任一項所述的成膜基板制造方法，其特征在于，

所述壓力梯度形成工序中，從惰性氣體的導入位置的下游側向室外排出所述成膜室內的氣體。

15.如權利要求9所述的成膜基板制造方法，其特征在于，

所述壓力梯度形成工序中，通過根據時間經過降低所述成膜室內的惰性氣體的壓力來形成所述壓力梯度。