[發明專利]布局圖形校正方法有效
| 申請號： | 201110358302.2 | 申請日： | 2011-11-11 |
| 公開（公告）號： | CN103105726A | 公開（公告）日： | 2013-05-15 |
| 發明（設計）人： | 王偉斌;王輝 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司 |
| 主分類號： | G03F1/36 | 分類號： | G03F1/36 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人： | 駱蘇華 |
| 地址： | 201203 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 布局 圖形 校正 方法 | ||
1.一種布局圖形校正方法，其特征在于，包括：
提供布局圖形；
對所述布局圖形各邊進行第一分割；
對第一分割后的分割邊進行第一光學鄰近校正，得到布局中間圖形，所述布局中間圖形模擬形成的實際圖形與目標圖形之間存在預定誤差；
對所述布局中間圖形各邊進行第二分割；
對第二分割后的分割邊進行第二光學鄰近校正，得到布局校正圖形。
2.如權利要求1所述的布局圖形校正方法，其特征在于，所述預定誤差為所述布局圖形模擬形成的實際圖形與目標圖形的誤差的10％～20％。
3.如權利要求1所述的布局圖形校正方法，其特征在于，所述第一光學鄰近校正、第二光學鄰近的參數包括：迭代次數，所述迭代次數為對分割邊進行移動的次數。
4.如權利要求3所述的布局圖形校正方法，其特征在于，所述第一光學鄰近校正包括：在模擬光學環境和布局圖形周邊環境下，模擬布局圖形形成的實際圖形，根據實際圖形，移動第一分割后的分割邊第一預定迭代次數得到布局中間圖形。
5.如權利要求4所述的布局圖形校正方法，其特征在于，所述第二光學鄰近校正包括：在模擬光學環境和布局圖形周邊環境下，模擬布局中間圖形形成的另一實際圖形，根據另一實際圖形，移動第二分割后的分割邊第二預定迭代次數得到布局校正圖形，所述布局校正圖形模擬形成的實際圖形與目標圖形的誤差在預定范圍內。
6.如權利要求4所述的布局圖形校正方法，其特征在于，所述第一預定迭代次數為僅進行一次光學鄰近校正時所需迭代次數的1/3～2/3。
7.如權利要求5所述的布局圖形校正方法，其特征在于，所述第二預定迭代次數為僅進行一次光學鄰近校正時所需迭代次數的1/3～2/3。
8.如權利要求1所述的布局圖形校正方法，其特征在于，還包括，在所述布局圖形周邊添加次分辨率輔助圖形，進行第一光學鄰近校正時，考慮所述次分辨率輔助圖形對布局圖形周邊環境的影響；進行第二光學鄰近校正時，考慮所述次分辨率輔助圖形對布局中間圖形周邊環境的影響。
9.如權利要求8所述的布局圖形校正方法，其特征在于，所述次分辨率輔助圖形為方形和/或矩形。
10.如權利要求1所述的布局圖形校正方法，其特征在于，所述布局圖形為通孔圖形或者條狀圖形。
11.如權利要求1所述的布局圖形校正方法，其特征在于，所述第一分割和第二分割的依據為尼奎斯特采樣原理。
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G03F 圖紋面的照相制版工藝，例如，印刷工藝、半導體器件的加工工藝；其所用材料；其所用原版；其所用專用設備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其專門適用于此的容器；其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜，例如通過電子束；其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜；其制備，例如光學臨近校正(OPC)設計工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜，例如用于校準或測試的特殊涂層或標記；其制備
