[發明專利]金屬研磨保護裝置及保護方法、化學機械研磨系統有效
| 申請號: | 201110357956.3 | 申請日: | 2011-11-11 |
| 公開(公告)號: | CN103100964A | 公開(公告)日: | 2013-05-15 |
| 發明(設計)人: | 陳楓 | 申請(專利權)人: | 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司 |
| 主分類號: | B24B37/04 | 分類號: | B24B37/04;B24B37/34 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人: | 駱蘇華 |
| 地址: | 201203 *** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 金屬 研磨 保護裝置 保護 方法 化學 機械 系統 | ||
1.一種金屬研磨保護裝置,其特征在于,用于保護CMP設備中的晶圓,包括:
噴淋頭,所述噴淋頭包括多個噴嘴;
噴淋管,連接所述噴淋頭,用于為所述噴淋頭提供對晶圓的保護物質;
控制器,連接所述CMP設備和噴淋管,當所述CMP設備停機但仍可控制晶圓進行上升和旋轉時,所述控制器控制CMP設備,使晶圓進行上升,且移動所述噴淋管使所述噴淋頭位于CMP設備中晶圓待研磨面的下方,并控制所述噴淋管的開啟和關閉。
2.如權利要求1所述的金屬研磨保護裝置,其特征在于,所述多個噴嘴均勻地分布在所述噴淋頭上。
3.如權利要求2所述的金屬研磨保護裝置,其特征在于,所述多個噴嘴呈輻射形或方格形分布。
4.如權利要求1所述的金屬研磨保護裝置,其特征在于,所述噴嘴的直徑范圍包括:0.5mm~5mm。
5.如權利要求1所述的金屬研磨保護裝置,其特征在于,所述噴淋管包括:開關、固定管和位于所述固定管上表面的旋轉管,所述固定管的一端和所述旋轉管的一端通過轉軸固定連接,所述噴淋頭固定在所述旋轉管上表面的另一端,所述開關設置在所述固定管的另一端且與所述控制器相連,所述控制器控制所述開關以實現對所述噴淋管的開啟和關閉的控制,所述固定管和所述旋轉管內設置有一個或多個軟管,所述軟管用于承載所述保護物質,所述軟管與所述噴淋頭相連;當所述CMP設備停機時,所述旋轉管繞所述轉軸旋轉,使所述噴淋頭位于CMP設備中晶圓待研磨面的下方;當所述CMP設備工作時,所述旋轉管繞所述轉軸旋轉,使所述噴淋頭遠離所述CMP設備。
6.如權利要求1所述的金屬研磨保護裝置,其特征在于,所述保護物質至少包括:等離子水;所述噴淋管至少包括:等離子水管路,所述等離子水管路用于為所述噴淋頭提供等離子水。
7.如權利要求1所述的金屬研磨保護裝置,其特征在于,所述保護物質還包括:保護氣體或/和緩蝕氣體;所述噴淋管還包括:1個或多個氣體管路,所述氣體管路用于為所述噴淋頭提供保護氣體或/和緩蝕氣體。
8.如權利要求1所述的金屬研磨保護裝置,其特征在于,所述噴嘴覆蓋的面積大于或等于所述晶圓待研磨面的面積。
9.如權利要求8所述的金屬研磨保護裝置,其特征在于,還包括:設置在所述噴淋頭的噴淋面邊緣的擋環;所述擋環的內直徑大于所述晶圓的直徑,所述擋環的高度大于所述噴淋頭與所述晶圓之間的距離。
10.如權利要求9所述的金屬研磨保護裝置,其特征在于,所述擋環的邊緣與所述晶圓的相對應邊緣的距離大于或等于0.5cm且小于或等于2cm。
11.如權利要求9所述的金屬研磨保護裝置,其特征在于,還包括:廢物管路;所述擋環的側面設置有1個或多個開口,所述開口連接所述廢物管路,用于排出擋環中的保護物質。
12.一種采用如權利要求1至11中任一項所述的金屬研磨保護裝置的金屬研磨保護方法,其特征在于,包括:
當CMP設備停機但仍可控制晶圓進行上升和旋轉時,所述控制器控制所述CMP設備,使所述晶圓上升;
移動所述噴淋管,使所述噴淋頭位于CMP設備中所述晶圓的待研磨面的下方;
所述控制器控制所述CMP設備,使所述晶圓的旋轉速度為第一速度;
所述控制器控制所述噴淋管為所述噴淋頭提供等離子水,所述噴淋頭向所述晶圓的待研磨面上噴灑等離子水。
13.如權利要求12所述的金屬研磨保護方法,其特征在于,所述第一速度的取值范圍包括:5rpm~20rpm。
14.如權利要求12所述的金屬研磨保護方法,其特征在于,還包括:當所述CMP設備的預計停機的時間等于或大于第一時間時,在向所述晶圓的待研磨面上噴灑等離子水達到第二時間之后,所述控制器控制所述噴淋管停止為所述噴淋頭提供等離子水,且控制所述CMP設備使所述晶圓的旋轉速度為第二速度,所述第二速度大于所述第一速度;經過第三時間后,所述控制器控制所述CMP設備使所述晶圓的旋轉速度降為第一速度,且控制所述噴淋管為所述噴淋頭提供保護氣體,所述噴淋頭向所述晶圓的待研磨面上噴灑保護氣體。
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