[發明專利]基于激光摻雜制備發射極的n型晶體硅太陽電池的制備方法

無效

• 申請號: 201110357794.3
• 申請日: 2011-11-11
• 公開（公告）號: CN102368510A
• 公開（公告）日: 2012-03-07
• 發明（設計）人: 梁宗存;葉小帥;朱彥斌;沈輝
• 申請（專利權）人: 中山大學
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18
• 代理公司: 廣州新諾專利商標事務所有限公司 44100
• 代理人: 羅毅萍

1.根據權利要求1所述的基于激光摻雜制備發射極的n型太陽電池的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

(1)對晶體硅片進行清洗制絨，在該晶體硅片前表面涂敷硼酸；

(2)在涂有硼酸的晶體硅片的前表面利用激光面掃描的方法制成電池的P-N結，并清洗；

(3)采用Al₂O₃/SiO₂疊層介質膜鈍化電池前后表面；

(4)在電池的前表面鍍SiNx減反膜，電池背面采用激光燒蝕技術形成局域開孔；

(5)采用絲網印刷制電極及燒結測試，完成電池的制備過程。

2.根據權利要求1所述的基于激光摻雜制備發射極的n型太陽電池的制備方法，其特征在于，上述步驟(1)中所述的晶體硅片為n型晶體硅片。

3.根據權利要求1或2所述的基于激光摻雜制備發射極的n型太陽電池的制備方法，其特征在于，上述步驟(1)所述的硼酸為固體硼酸溶于酒精制成的濃度為1％～5.0％的溶液，所述涂覆方法是采用旋涂的方法。

4.根據權利要求1所述的基于激光摻雜制備發射極的n型太陽電池的制備方法，其特征在于，上述步驟(2)采用的激光的參數為：功率1～1000W、波長1100～200nm的脈沖或連續激光光束。

5.根據權利要求1所述的基于激光摻雜制備發射極的n型太陽電池的制備方法，其特征在于，步驟(3)采用Al₂O₃/SiO₂疊層介質膜鈍化電池前后表面。

6.根據權利要求1所述的基于激光摻雜制備發射極的n型太陽電池的制備方法，其特征在于，步驟(4)所述的電池背面采用激光燒蝕技術形成局域開孔。