[發(fā)明專利]基于UV曝光形成取向膜區(qū)域的方法及系統(tǒng)

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110357645.7
• 申請日: 2011-11-14
• 公開（公告）號: CN102520551A
• 公開（公告）日: 2012-06-27
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 宋玉
• 申請（專利權(quán)）人: 深圳市華星光電技術(shù)有限公司
• 主分類號: G02F1/1337
• 分類號: G02F1/1337;G03F7/20
• 代理公司: 深圳市世紀(jì)恒程知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所 44287
• 代理人: 胡海國

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及液晶顯示裝置的取向膜形成技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種基于UV曝光制作取向膜的方法及系統(tǒng)。

背景技術(shù)

現(xiàn)有的液晶顯示裝置通常包含形成像素電極的TFT(Thin?Film?Transistor，薄膜場效應(yīng)晶體管)基板(下部基板)、形成公用電極的CF(Color?Filter，濾色器)基板(上部基板)以及夾在上述TFT基板和CF基板之間的液晶層。為了使液晶分子以特定的方向排列，在各基板的內(nèi)側(cè)表面分別涂布有一層取向膜，該取向膜可用于限制液晶分子的取向狀態(tài)。

在取向膜涂布的過程中，需要將取向膜覆蓋到基板規(guī)定的區(qū)域。每張基板上劃分為若干個固定尺寸的顯示單元(chip)，如圖1所示，圖1是現(xiàn)有的液晶面板設(shè)計(jì)中取向膜區(qū)域在基板中的位置示意圖，基板20上單個固定尺寸的顯示單元上的取向膜區(qū)域(PI?area，Polyimide?area，聚酰亞胺區(qū)域)需要覆蓋有效顯示區(qū)域(圖1中A-A與B-B限定的矩形區(qū)域)30，但不能覆蓋框膠(圖1所示黑色區(qū)域)10的涂布位置。根據(jù)設(shè)計(jì)的取向膜區(qū)域規(guī)則，設(shè)置取向膜列印機(jī)(PI?Inkjet)的取向膜涂布區(qū)域，使取向膜能夠覆蓋設(shè)計(jì)規(guī)則(Design?rule)的區(qū)域。當(dāng)基板20上有效顯示區(qū)域(圖1中A-A與B-B限定的矩形區(qū)域)30涂滿取向膜后，再在框膠10的涂布位置涂布框膠10。也就是說，框膠10的涂布位置通常不允許涂布取向膜。

但是，采用上述方法形成的取向膜區(qū)域，存在以下缺陷：

1、取向膜列印機(jī)在根據(jù)設(shè)計(jì)規(guī)則涂布時，會存在涂布誤差，即印刷偏移，實(shí)際涂布的取向膜區(qū)域有時候不能準(zhǔn)確覆蓋原先設(shè)計(jì)的區(qū)域，甚至存在實(shí)際涂布的取向膜區(qū)域延伸至框膠10的涂布位置；

2、取向膜在形成時，其邊緣會因?yàn)楦鞣N物理和化學(xué)的原因產(chǎn)生鋸齒狀的邊緣不均和膜厚不均現(xiàn)象；而取向膜不均勻?qū)?dǎo)致液晶顯示裝置的圖像質(zhì)量特性降低，目前只能通過修改涂布參數(shù)和干燥參數(shù)來改善上述取向膜邊緣不平整和膜厚不均等狀況，不過這種方式使得取向膜的制作復(fù)雜化。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的主要目的在于提供一種基于UV曝光形成取向膜區(qū)域的方法及系統(tǒng)，旨在避免現(xiàn)有技術(shù)中在形成取向膜區(qū)域時產(chǎn)生印刷偏移、鋸齒狀邊緣不均及膜厚不均的問題。

為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明提出一種基于紫外光UV曝光形成取向膜區(qū)域的方法，包括以下步驟：

在基板上涂布PI液并形成取向膜，所述取向膜覆蓋所述基板上預(yù)設(shè)的取向膜區(qū)域；

將根據(jù)所述預(yù)設(shè)的取向膜區(qū)域制作的掩膜板設(shè)置于所述取向膜上方，使所述掩膜板遮蔽所述預(yù)設(shè)的取向膜區(qū)域；

通過UV光曝光剝離所述基板上位于所述預(yù)設(shè)的取向膜區(qū)域以外的取向膜；

撤去所述掩膜板，在所述預(yù)設(shè)的取向膜區(qū)域留下取向膜。

優(yōu)選地，所述在基板上涂布PI液形成取向膜的步驟包括：

通過取向膜列印機(jī)在基板上涂布PI液，使所述PI液覆蓋所述基板上的所述預(yù)設(shè)的取向膜區(qū)域；

對所述基板上的PI液進(jìn)行預(yù)烘烤、檢查和本硬化處理，形成取向膜。

優(yōu)選地，所述PI液為聚酰亞胺，以及DMA、NMP或BC溶劑。

優(yōu)選地，所述掩模板與所述基板的距離小于或等于50um。

優(yōu)選地，所述UV光波長為146nm～365nm。

優(yōu)選地，所述基板為TFT基板和/或CF基板。

本發(fā)明還提出一種基于UV曝光形成取向膜區(qū)域的系統(tǒng)，包括：

涂布處理裝置，用于在基板上涂布PI液并形成取向膜；

掩膜板設(shè)置裝置，用于將預(yù)先制作的掩膜板設(shè)置于所述基板上方，使所述掩膜板遮蔽所述預(yù)設(shè)的取向膜區(qū)域；

UV光曝光裝置，用于對覆蓋有所述掩膜板的整個基板照射UV光，使所述基板上位于所述預(yù)設(shè)的取向膜區(qū)域以外的取向膜剝離。

優(yōu)選地，所述涂布處理裝置包括：在基板上涂布PI液的取向膜列印機(jī)以及對所述基板上的PI液進(jìn)行預(yù)烘烤、檢查及本硬化處理形成取向膜的取向膜處理設(shè)備。

優(yōu)選地，所述掩模板與所述基板的距離小于或等于50um；所述UV光波長為146nm～365nm。

優(yōu)選地，所述基板為TFT基板和/或CF基板。

本發(fā)明提出的一種基于UV曝光形成取向膜區(qū)域的方法及系統(tǒng)，可以有效改善現(xiàn)有的取向膜列印機(jī)根據(jù)設(shè)計(jì)的取向膜區(qū)域規(guī)則涂布取向膜，在形成取向膜區(qū)域時產(chǎn)生印刷偏移、鋸齒狀的邊緣不均以及膜厚不均等缺陷，提高了取向膜區(qū)域的定位精度以及取向膜的質(zhì)量，進(jìn)而提高液晶顯示裝置的圖像質(zhì)量特性。

附圖說明