[發明專利]一種超薄芯片的制備方法

有效

• 申請號: 201110357375.X
• 申請日: 2011-11-11
• 公開（公告）號: CN102403217A
• 公開（公告）日: 2012-04-04
• 發明（設計）人: 劉勝;汪學方;呂植成;袁嬌嬌;蔡明先
• 申請（專利權）人: 華中科技大學
• 主分類號: H01L21/308
• 分類號: H01L21/308
• 代理公司: 華中科技大學專利中心 42201
• 代理人: 李智

1.一種超薄芯片的制備方法，具體為：

????（1）在硅晶圓表面光刻形成掩膜以暴露需要減薄的區域；

（2）采用刻蝕工藝對硅晶圓需要減薄的區域進行減薄；

（3）對減薄后的區域進行后續工藝處理得到芯片；

（4）將芯片與硅晶圓分離。

2.根據權利要求1所述的超薄芯片的制備方法，其特征在于，所述步驟（2）采用深硅刻蝕或濕法刻蝕工藝。

3.根據權利要求2所述的超薄芯片的制備方法，其特征在于，采用博世工藝進行減薄。

4.根據權利要求1或2所述的超薄芯片的制備方法，其特征在于，所述步驟（1）中掩膜材料采用二氧化硅或者氮化硅。