[發(fā)明專利]外殼面板及使用該外殼面板的電子設(shè)備

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110356899.7
• 申請日: 2011-11-11
• 公開（公告）號: CN103108505A
• 公開（公告）日: 2013-05-15
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 謝瑞昆
• 申請（專利權(quán)）人: 鴻富錦精密工業(yè)（深圳）有限公司;鴻海精密工業(yè)股份有限公司
• 主分類號: H05K5/00
• 分類號: H05K5/00;H01L31/048
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種外殼面板，其包括散熱層、薄膜太陽能電池及保護(hù)層，所述薄膜太陽能電池位于散熱層與保護(hù)層之間，所述薄膜太陽能電池將透過透明保護(hù)層的太陽光轉(zhuǎn)換為電能以對外供電，所述散熱層用于將薄膜太陽能電池產(chǎn)生的熱量分散轉(zhuǎn)移。

2.如權(quán)利要求1所述的外殼面板，其特征在于：所述保護(hù)層由高強(qiáng)度透明材料制成。

3.如權(quán)利要求2所述的外殼面板，其特征在于：所述保護(hù)層的材料為聚碳酸酯。

4.如權(quán)利要求1所述的外殼面板，其特征在于：所述薄膜太陽能電池包括沉積在一基底上的N型半導(dǎo)體及P型半導(dǎo)體，所述N型半導(dǎo)體及P型半導(dǎo)體上分別有一電極。

5.如權(quán)利要求4所述的外殼面板，其特征在于：所述基底由可撓性材料制成。

6.如權(quán)利要求4所述的外殼面板，其特征在于：所述N型半導(dǎo)體及P型半導(dǎo)體為非晶硅。

7.如權(quán)利要求1所述的外殼面板，其特征在于：所述散熱層由具有高導(dǎo)熱系數(shù)的材料制成。

8.如權(quán)利要求7所述的外殼面板，其特征在于：所述散熱層的材料選自為石墨及合金。

9.如權(quán)利要求1所述的外殼面板，其特征在于：所述薄膜太陽能電池包括N型半導(dǎo)體及P型半導(dǎo)體，所述N型半導(dǎo)體及P型半導(dǎo)體直接形成在所述散熱層上。

10.一種電子設(shè)備，其包括外殼面板及設(shè)置在外殼面板內(nèi)的電源模塊，所述外殼面板上設(shè)置有薄膜太陽能電池，所述電源模塊與該薄膜太陽能電池連接，所述薄膜太陽能電池將照射在外殼面板上的太陽光轉(zhuǎn)換的電能并通過所述電源模塊為電子設(shè)備供電。

11.如權(quán)利要求10所述的電子設(shè)備，其特征在于：所述外殼面板還包括保護(hù)層及散熱層，所述薄膜太陽能電池設(shè)置在保護(hù)層與散熱層之間。

12.如權(quán)利要求11所述的電子設(shè)備，其特征在于：所述保護(hù)層由高強(qiáng)度透明材料制成。

13.如權(quán)利要求12所述的電子設(shè)備，其特征在于：所述保護(hù)層的材料為聚碳酸酯。

14.如權(quán)利要求11所述的電子設(shè)備，其特征在于：所述散熱層由具有高導(dǎo)熱系數(shù)的材料制成。

15.如權(quán)利要求14所述的電子設(shè)備，其特征在于：所述散熱層的材料選自石墨及合金。

16.如權(quán)利要求10所述的電子設(shè)備，其特征在于：所述薄膜太陽能電池包括沉積在一基底上的N型半導(dǎo)體及P型半導(dǎo)體，所述N型半導(dǎo)體及P型半導(dǎo)體上分別形成有一電極。

17.如權(quán)利要求16所述的電子設(shè)備，其特征在于：所述電源模組與所述N型半導(dǎo)體及P型半導(dǎo)體上的電極連接。

18.如權(quán)利要求16所述的電子設(shè)備，其特征在于：所述基底由可撓性材料制成。

19.如權(quán)利要求16所述的電子設(shè)備，其特征在于：所述N型半導(dǎo)體及P型半導(dǎo)體為非晶硅。

20.如權(quán)利要求10所述的電子設(shè)備，其特征在于：所述薄膜太陽能電池包括N型半導(dǎo)體及P型半導(dǎo)體，所述N型半導(dǎo)體及P型半導(dǎo)體直接形成在所述散熱層上。

21.如權(quán)利要求10所述的電子設(shè)備，其特征在于：所述電子設(shè)備為筆記本電腦，所述薄膜太陽能電池設(shè)置在筆記本電腦的顯示器外殼面板及鍵盤部分的外殼面板上。