[發(fā)明專利]層疊型半導體器件有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201110356848.4 | 申請日： | 2008-07-25 |
| 公開（公告）號： | CN102427074A | 公開（公告）日： | 2012-04-25 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 岡本和也;菅谷功 | 申請（專利權(quán)）人： | 株式會社尼康 |
| 主分類號： | H01L25/065 | 分類號： | H01L25/065 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227 | 代理人： | 李洋;楊林森 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 層疊 半導體器件 | ||
1.一種層疊型半導體器件，是層疊有多個半導體芯片、該半導體芯片各自具有至少一個電路區(qū)域的層疊型半導體器件，其特征在于，
在多個所述半導體芯片的至少一個中具備在時間上被重復地驅(qū)動的多個所述電路區(qū)域，
該多個電路區(qū)域被相互分離地配置。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的層疊型半導體器件，其特征在于，多個所述電路區(qū)域中的每單位面積的放熱量最多的區(qū)域是邏輯電路區(qū)域。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的層疊型半導體器件，其特征在于，多個所述電路區(qū)域中存取時間越多的區(qū)域每單位面積的放熱量越多。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的層疊型半導體器件，其特征在于，在多個所述半導體芯片之間，配置有加強所述半導體芯片之間的結(jié)合的加強構(gòu)件、或?qū)⑺霭雽w之間電連接的中繼基板。
5.一種層疊型半導體器件，是層疊有多個半導體芯片、該半導體芯片各自具有至少一個電路區(qū)域的層疊型半導體器件，其特征在于，
在多個所述半導體芯片的至少一個中相互接觸地配置有在時間上被重復地驅(qū)動的多個所述電路區(qū)域，
該多個電路區(qū)域被配置為，至少一部分沿著相互的界面互相錯開。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的層疊型半導體器件，其特征在于，多個所述電路區(qū)域中的每單位面積的放熱量最多的區(qū)域是邏輯電路區(qū)域。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的層疊型半導體器件，其特征在于，多個所述電路區(qū)域中存取時間越多的區(qū)域每單位面積的放熱量越多。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的層疊型半導體器件，其特征在于，在多個所述半導體芯片之間，配置有加強所述半導體芯片之間的結(jié)合的加強構(gòu)件、或?qū)⑺霭雽w之間電連接的中繼基板。
9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的層疊型半導體器件，其特征在于，該多個電路區(qū)域具有角部，在所述角部被相互接觸地配置該多個電路區(qū)域。
10.一種層疊型半導體器件，是層疊有多個半導體芯片、該半導體芯片各自具有至少一個電路區(qū)域的層疊型半導體器件，其特征在于，
作為多個所述半導體芯片中的一個的第一半導體芯片具備被驅(qū)動的第一電路區(qū)域，
作為多個所述半導體芯片中的一個且與所述第一半導體芯片接觸地配置的第二半導體芯片具備與所述第一電路區(qū)域在時間上被重復地驅(qū)動的第二電路區(qū)域，
所述第一電路區(qū)域和所述第二電路區(qū)域被相互分離地配置。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的層疊型半導體器件，其特征在于，多個所述電路區(qū)域中的每單位面積的放熱量最多的區(qū)域是邏輯電路區(qū)域。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的層疊型半導體器件，其特征在于，多個所述電路區(qū)域中存取時間越多的區(qū)域每單位面積的放熱量越多。
13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的層疊型半導體器件，其特征在于，在多個所述半導體芯片之間，配置有加強所述半導體芯片之間的結(jié)合的加強構(gòu)件、或?qū)⑺霭雽w之間電連接的中繼基板。
14.一種層疊型半導體器件，是層疊有多個半導體芯片、該半導體芯片各自具有至少一個電路區(qū)域的層疊型半導體器件，其特征在于，
作為多個所述半導體芯片中的一個的第一半導體芯片具備被驅(qū)動的第一電路區(qū)域，
作為多個所述半導體芯片中的一個且與所述第一半導體芯片接觸地配置的第二半導體芯片具備與所述第一電路區(qū)域在時間上被重復地驅(qū)動的第二電路區(qū)域，
所述第一電路區(qū)域及所述第二電路區(qū)域被配置為，至少一部分沿著相互的界面互相錯開。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的層疊型半導體器件，其特征在于，多個所述電路區(qū)域中的每單位面積的放熱量最多的區(qū)域是邏輯電路區(qū)域。
16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的層疊型半導體器件，其特征在于，多個所述電路區(qū)域中存取時間越多的區(qū)域每單位面積的放熱量越多。
17.根據(jù)權(quán)利要求14所述的層疊型半導體器件，其特征在于，在多個所述半導體芯片之間，配置有加強所述半導體芯片之間的結(jié)合的加強構(gòu)件、或?qū)⑺霭雽w之間電連接的中繼基板。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L25-00 由多個單個半導體或其他固態(tài)器件組成的組裝件
H01L25-03 .所有包含在H01L 27/00至H01L 51/00各組中同一小組內(nèi)的相同類型的器件，例如整流二極管的組裝件
H01L25-16 .包含在H01L 27/00至H01L 51/00各組中兩個或多個不同大組內(nèi)的類型的器件，例如構(gòu)成混合電路的
H01L25-18 .包含在H01L 27/00至H01L 51/00各組中兩個或多個同一大組的不同小組內(nèi)的類型的器件
H01L25-04 ..不具有單獨容器的器件
H01L25-10 ..具有單獨容器的器件
