[發(fā)明專利]晶圓焊墊的凸塊結(jié)構(gòu)及其制造方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201110356339.1 | 申請(qǐng)日: | 2011-11-11 |
| 公開(公告)號(hào): | CN103107156A | 公開(公告)日: | 2013-05-15 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 朱貴武 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 訊憶科技股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L23/498 | 分類號(hào): | H01L23/498;H01L21/48 |
| 代理公司: | 北京科龍寰宇知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11139 | 代理人: | 孫皓晨 |
| 地址: | 中國(guó)臺(tái)*** | 國(guó)省代碼: | 中國(guó)臺(tái)灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 晶圓焊墊 結(jié)構(gòu) 及其 制造 方法 | ||
1.一種晶圓焊墊的凸塊結(jié)構(gòu),其特征在于,包含:
一晶圓,其包含:一表面;復(fù)數(shù)個(gè)焊墊,設(shè)在該表面;及一個(gè)第一保護(hù)層,形成于該表面上并設(shè)有復(fù)數(shù)個(gè)開口供對(duì)應(yīng)顯露該復(fù)數(shù)個(gè)焊墊;
復(fù)數(shù)個(gè)觸媒層,其利用鋅化處理以在該復(fù)數(shù)個(gè)焊墊的表面上形成一以鋅構(gòu)成的觸媒層;及
復(fù)數(shù)個(gè)凸塊,其利用無(wú)電解鎳或無(wú)電解銅的無(wú)電解金屬方式,并配合有光阻或無(wú)光阻方式,以在該復(fù)數(shù)個(gè)焊墊表面的該復(fù)數(shù)個(gè)觸媒層的表面形成一具適當(dāng)高度且以無(wú)電解鎳或以無(wú)電解銅構(gòu)成的凸塊。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓焊墊的凸塊結(jié)構(gòu),其特征在于:該復(fù)數(shù)個(gè)凸塊的表面上進(jìn)一步設(shè)有一個(gè)第二保護(hù)層,用來(lái)防止該凸塊氧化;
其中當(dāng)該復(fù)數(shù)個(gè)凸塊是以無(wú)電解鎳構(gòu)成時(shí),該第二保護(hù)層利用無(wú)電解金方式以在該復(fù)數(shù)個(gè)凸塊的表面上形成一以無(wú)電解金構(gòu)成的第二保護(hù)層;
其中當(dāng)該復(fù)數(shù)個(gè)凸塊是以無(wú)電解銅構(gòu)成時(shí),該第二保護(hù)層先利用無(wú)電解鎳方式以在該復(fù)數(shù)個(gè)凸塊的表面上先形成一以無(wú)電解鎳構(gòu)成的第二保護(hù)層的底層,再利用無(wú)電解金方式以在該復(fù)數(shù)個(gè)第二保護(hù)層的底層的表面上再形成一以無(wú)電解金構(gòu)成的第二保護(hù)層的表層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓焊墊的凸塊結(jié)構(gòu),其特征在于:該觸媒層是采用重量百分比濃度為15-30%的鋅鹽水溶液,在溶液溫度20-35℃中經(jīng)過時(shí)間10-60秒以形成一以鋅構(gòu)成的觸媒層。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓焊墊的凸塊結(jié)構(gòu),其特征在于:該復(fù)數(shù)個(gè)以無(wú)電解鎳構(gòu)成的凸塊是采用濃度為4-6.5g/L的鎳鹽水溶液,在溶液溫度75-100℃中經(jīng)過時(shí)間30-75分以沉積形成。
5.一種晶圓焊墊的凸塊制造方法,其特征在于,包含:
提供一晶圓,該晶圓具有一表面;復(fù)數(shù)個(gè)焊墊,設(shè)在該表面;及一個(gè)第一保護(hù)層,形成于該表面上并設(shè)有復(fù)數(shù)個(gè)開口供對(duì)應(yīng)顯露該復(fù)數(shù)個(gè)焊墊;
利用鋅化處理以在該復(fù)數(shù)個(gè)焊墊的表面形成一以鋅構(gòu)成的觸媒層;及
利用無(wú)電解鎳或無(wú)電解銅方式以在該復(fù)數(shù)個(gè)焊墊上的觸媒層表面上形成一以無(wú)電解鎳構(gòu)成的凸塊或一以無(wú)電解銅構(gòu)成的凸塊。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的晶圓焊墊的凸塊制造方法,其特征在于,在形成凸塊的步驟之后進(jìn)一步包含如下的步驟:再利用無(wú)電解金屬方式以在該復(fù)數(shù)個(gè)凸塊的表面上形成一個(gè)第二保護(hù)層;
其中當(dāng)該復(fù)數(shù)個(gè)凸塊是以無(wú)電解鎳構(gòu)成時(shí),其利用無(wú)電解金方式以在該復(fù)數(shù)個(gè)凸塊的表面上形成一以無(wú)電解金構(gòu)成的第二保護(hù)層;
其中當(dāng)該復(fù)數(shù)個(gè)凸塊是以無(wú)電解銅構(gòu)成時(shí),其先利用無(wú)電解鎳方式以在該復(fù)數(shù)個(gè)凸塊的表面上先形成一以無(wú)電解鎳構(gòu)成的第二保護(hù)層的底層,再利用無(wú)電解金方式以在該復(fù)數(shù)個(gè)第二保護(hù)層的底層的表面上再形成一以無(wú)電解金構(gòu)成的第二保護(hù)層的表層。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的晶圓焊墊的凸塊制造方法,其特征在于:該觸媒層是采用重量百分比濃度為15-30%的鋅鹽水溶液,在溶液溫度20-35℃中經(jīng)過時(shí)間10-60秒以形成一以鋅構(gòu)成的觸媒層。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的晶圓焊墊的凸塊制造方法,其特征在于:該復(fù)數(shù)個(gè)以無(wú)電解鎳構(gòu)成的凸塊是采用濃度為4-6.5g/L的鎳鹽水溶液,在溶液溫度75-100℃中經(jīng)過時(shí)間30-75分以沉積形成。
9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的晶圓焊墊的凸塊制造方法,其特征在于:該復(fù)數(shù)個(gè)凸塊的厚度為2-15μm。
10.根據(jù)權(quán)利要求5所述的晶圓焊墊的凸塊制造方法,其特征在于:該復(fù)數(shù)個(gè)開口之間的距離為大于16μm,以避免所形成的該復(fù)數(shù)個(gè)凸塊之間因太過接近而造成短路。
11.一種晶圓焊墊的凸塊制造方法,其特征在于,包含:
提供一晶圓,該晶圓具有一表面;復(fù)數(shù)個(gè)焊墊設(shè)在該表面;及一個(gè)第一保護(hù)層形成于該表面上并設(shè)有復(fù)數(shù)個(gè)開口供對(duì)應(yīng)顯露該復(fù)數(shù)個(gè)焊墊;
利用鋅化處理,以在該復(fù)數(shù)個(gè)焊墊的表面形成一以鋅構(gòu)成的觸媒層;
形成一光阻層在該第一保護(hù)層及該觸媒層上;
圖案化該光阻層,以形成復(fù)數(shù)個(gè)開口供分別對(duì)應(yīng)顯露各觸媒層及各觸媒層的周圍一部分的第一保護(hù)層;及
利用無(wú)電解鎳或無(wú)電解銅方式,以在該復(fù)數(shù)個(gè)開口中形成一以無(wú)電解鎳構(gòu)成的凸塊或一以無(wú)電解銅構(gòu)成的凸塊;
移除該光阻層,以顯露該第二保護(hù)層、該復(fù)數(shù)個(gè)凸塊及該復(fù)數(shù)個(gè)凸塊下方以外的該第一保護(hù)層。
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